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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司;上海集成電路研發(fā)中心有限公司申請的專利RRAM電流量化電路及方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114244364B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111572881.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H03M1/12；該發(fā)明授權(quán)RRAM電流量化電路及方法是由余學(xué)儒;李琛;段杰斌;田畔;張飛翔設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-12-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本RRAM電流量化電路及方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種RRAM電流量化電路及方法，所述RRAM電流量化電路包括參考電流源、第一電流鏡單元、第二電流鏡單元、第三電流鏡單元、第四電流鏡單元、第一開關(guān)單元、第二開關(guān)單元、第三開關(guān)單元和量化單元，其中，所述參考電流源用于提供初始電流，用于將初始電流按照第一比例縮放后輸出參考電流，量化單元用于輸出每一次的量化結(jié)果，第二電流鏡單元用于將所述憶阻器電流按照第二比例縮放后輸出初始待測電流，第三電流鏡單元用于根據(jù)參考電流和待測電流輸出殘差電流，第四電流鏡單元用于將所述殘差電流按照第四比例縮放后輸出下一時刻的待測電流。本發(fā)明的RRAM電流量化電路能夠有效降低電流量化時的功耗和誤差，減小電路面積。

本發(fā)明授權(quán)RRAM電流量化電路及方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種RRAM電流量化電路，其特征在于，包括： 參考電流源，用于提供初始電流； 第一電流鏡單元，與所述參考電流源電連接，用于將所述初始電流按照第一比例縮放后輸出參考電流；量化單元，其輸入端與所述第一電流鏡單元電連接，用于輸出每一次的量化結(jié)果； 第二電流鏡單元，用于將輸入的憶阻器電流按照第二比例縮放后輸出初始待測電流； 第三電流鏡單元，用于根據(jù)所述參考電流和所述初始待測電流輸出殘差電流； 第四電流鏡單元，與所述第三電流鏡單元的輸出端電連接，用于將所述殘差電流按照第四比例縮放后輸出下一時刻的待測電流； 第一開關(guān)單元，分別與所述第一電流鏡單元輸出端、所述量化單元輸出端和所述第三電流鏡單元輸入端電連接； 第二開關(guān)單元，一端與所述第二電流鏡單元輸出端電連接，另一端與所述第三電流鏡單元輸入端、所述第一開關(guān)單元電連接； 第三開關(guān)單元，一端與所述第四電流鏡單元輸出端電連接，另一端與所述第三電流鏡單元輸入端、所述第二開關(guān)單元另一端和所述第一開關(guān)單元電連接； 所述第一電流鏡單元包括第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管和第八PMOS管，所述第六PMOS管的漏極與所述參考電流源的輸出端連接，所述第六PMOS管的漏極與柵極均與所述第八PMOS管的柵極連接，所述第六PMOS管的源極與所述第五PMOS管的漏極連接，所述第五PMOS管的柵極與所述第七PMOS管的柵極連接，所述第七PMOS管的漏極與所述第八PMOS管的源極連接，所述第八PMOS管的漏極與所述第一開關(guān)單元一端連接，所述第五PMOS管的柵極和漏極、所述第六PMOS管的源極、所述第七PMOS管的漏極、所述第八PMOS管的源極均與所述量化單元連接，所述第七PMOS管的源極和所述第五PMOS管的源極均接工作電壓； 所述第二電流鏡單元包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管，所述第五NMOS管的漏極輸入憶阻器電流，且所述第五NMOS管的漏極分別與所述第五NMOS管的柵極和所述第七NMOS管的柵極連接，所述第五NMOS管的源極分別與所述第六NMOS管的漏極、所述第六NMOS管的柵極和所述第八NMOS管的柵極連接，所述第七NMOS管的漏極與所述第二開關(guān)單元的另一端連接，所述第七NMOS管的源極與所述第八NMOS管的漏極連接，所述第八NMOS管的源極和所述第六NMOS管的源極均接地； 所述第三電流鏡單元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管，所述第二PMOS管的漏極分別與所述第二開關(guān)單元一端、所述第三開關(guān)單元一端和所述第一開關(guān)單元電連接，所述第二PMOS管的漏極與柵極連接，所述第二PMOS管的源極與所述第一PMOS管的漏極連接，所述第一PMOS管的漏極與柵極連接，所述第一PMOS管的柵極與所述第三PMOS管的柵極連接，所述第一PMOS管的源極與所述第三PMOS管的源極均接工作電壓，所述第三PMOS管的漏極與所述第四PMOS管的源極連接，所述第二PMOS管的柵極與所述第四PMOS管的柵極連接； 所述第四電流鏡單元包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管，所述第一NMOS管的漏極與所述第三開關(guān)單元的另一端連接，所述第一NMOS管的源極與所述第二NMOS管的漏極連接，所述第一NMOS管的柵極與所述第三NMOS管的柵極連接，所述第三NMOS管的柵極和漏極均與所述第四PMOS管的漏極連接，所述第一NMOS管的源極與所述第二NMOS管的漏極連接，所述第二NMOS管的柵極與所述第四NMOS管的柵極連接，所述第四NMOS管的柵極與漏極連接，所述第四NMOS管的漏極與所述第三NMOS管的源極連接，所述第二NMOS管的源極和所述第四NMOS管的源極均接地。

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