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龍圖騰網(wǎng)獲悉廣州潤芯信息技術有限公司申請的專利一種寬頻高增益低噪聲放大器獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN114640313B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202111600135.8，技術領域涉及：H03F1/26；該發(fā)明授權一種寬頻高增益低噪聲放大器是由李丹;張弓;王日炎;周伶俐;張芳芳;賀黌胤設計研發(fā)完成，并于2021-12-24向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種寬頻高增益低噪聲放大器在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種寬頻高增益低噪聲放大器，包含：放大級電路、緩沖級電路、輸出級電路和反饋電路，所述放大級電路依序通過所述緩沖級電路、輸出級電路產(chǎn)生輸出信號；所述放大級電路采用共源共柵電阻反饋放大結構，所述共源共柵電阻反饋放大結構包括共源共柵放大器、場效應晶體管M1和反饋電阻Rf，所述場效應晶體管M1的柵極用于連接輸入信號，所述場效應晶體管M1的源極接地，所述場效應晶體管M1的漏極與所述共源共柵放大器連接。本發(fā)明在實現(xiàn)寬頻匹配的同時，能夠滿足高增益和低噪聲系數(shù)，同時實現(xiàn)輸入輸出同時匹配，且輸入輸出無需匹配網(wǎng)絡結構，應用簡單，且采用無電感元件設計來降低成本與芯片面積。

本發(fā)明授權一種寬頻高增益低噪聲放大器在權利要求書中公布了：1.一種寬頻高增益低噪聲放大器，其特征在于，包含：放大級電路、緩沖級電路、輸出級電路和反饋電路，所述放大級電路用接收輸入信號，所述輸出級電路用于連接負載，所述放大級電路依序通過所述緩沖級電路、輸出級電路產(chǎn)生輸出信號，所述反饋電路用于將所述放大級電路的輸出端反饋回所述放大級電路的輸入端； 所述放大級電路采用共源共柵電阻反饋放大結構，所述共源共柵電阻反饋放大結構包括共源共柵放大器、場效應晶體管M1和反饋電阻Rf，所述場效應晶體管M1的柵極用于連接輸入信號，所述場效應晶體管M1的源極接地，所述場效應晶體管M1的漏極與所述共源共柵放大器連接； 所述共源共柵放大器包括場效應晶體管M2和場效應晶體管M3，所述場效應晶體管M3的漏極與所述場效應晶體管M1的漏極連接，所述場效應晶體管M3的柵極通過電阻R1連接有第一偏置電壓，所述場效應晶體管M3的源極與所述場效應晶體管M2的漏極連接，所述場效應晶體管M2的柵極與所述場效應晶體管M1的柵極連接，所述場效應晶體管M2的源極連接電壓VDD； 所述反饋電路包括場效應晶體管M8和場效應晶體管M9，所述場效應晶體管M9的柵極與所述場效應晶體管M3的漏極連接，所述場效應晶體管M9的源極與所述場效應晶體管M8的漏極共同連接所述場效應晶體管M1的柵極，所述場效應晶體管M9的漏極連接連接電壓VDD，所述場效應晶體管M8的源極接地所述場效應晶體管M8的柵極連接有第三偏置電壓； 所述放大級電路包括電容C1、電容C2和電容C4，所述電容C1的第一端用于連接輸入信號，所述電容C1的第二端和所述場效應晶體管M1的柵極共同連接所述電容C2的第一端，所述電容C2的第二端與所述場效應晶體管M2的柵極連接，所述電容C4連接在所述場效應晶體管M4的柵極和所述場效應晶體管M1的漏極之間； 所述反饋電路包括電阻Rm和電容C3,所述場效應晶體管M9的源極通過所述電阻Rm和電容C3與所述電容C2的第一端連接。

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