臺灣積體電路制造股份有限公司吳昭誼獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利混合存儲器器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114566197B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210073450.8，技術領域涉及：G11C11/40；該發明授權混合存儲器器件及其形成方法是由吳昭誼;林佑明設計研發完成，并于2022-01-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本混合存儲器器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本公開涉及混合存儲器器件及其形成方法。一種存儲器陣列包括混合存儲器單元，其中，每個混合存儲器單元包括晶體管型存儲器和電阻型存儲器。該晶體管型存儲器包括：存儲器膜，在柵極電極上延伸；溝道層，在存儲器膜上延伸；第一源極漏極電極，在溝道層上延伸；和第二源極漏極電極，沿著溝道層延伸，并且該電阻型存儲器包括電阻存儲器層，其中，該電阻存儲器層在第二源極漏極電極和溝道層之間延伸。
本發明授權混合存儲器器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種存儲器陣列，包括： 多個混合存儲器單元，其中，所述多個混合存儲器單元中的每個混合存儲器單元包括： 晶體管型存儲器，包括： 存儲器膜，在柵極電極上延伸； 溝道層，在所述存儲器膜上延伸； 第一源極漏極電極，在所述溝道層上延伸；和 第二源極漏極電極，沿著所述溝道層延伸；以及 電阻型存儲器，包括： 電阻存儲器層，其中，所述電阻存儲器層在所述第二源極漏極電極和所述溝道層之間延伸。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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