華為數字能源技術有限公司勾鵬獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華為數字能源技術有限公司申請的專利一種器件隔離結構及其制造方法、半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114530412B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210082284.8，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權一種器件隔離結構及其制造方法、半導體器件是由勾鵬;鐘燦;唐逢杰;左希然;潘銘;袁柳;張天翼;金桂東;陳妍君設計研發完成，并于2022-01-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種器件隔離結構及其制造方法、半導體器件在說明書摘要公布了：本申請實施例提供一種器件隔離結構及其制造方法、半導體器件。該制造方法包括：在襯底的第一區域進行第一離子注入形成埋層；在襯底的第二區域進行第二離子注入形成預參雜，第二區域圍繞第一區域的外周設置，預參雜中的離子的熱擴散能力大于埋層中的離子的熱擴散能力；在襯底的設置有埋層和預參雜的一側形成外延層；對應第二區域在外延層上進行第三離子注入形成深阱；進行熱退火處理，使埋層、預參雜和深阱中的離子進行熱擴散，而使埋層、預參雜和深阱依次連接，埋層、預參雜和深阱包圍的內部區域為器件區域。本申請實施例可將厚外延層下的深埋層引出，實現有效隔離高壓器件和低壓器件，且能兼容現有工藝，有利于降低加工成本和縮短制造周期。
本發明授權一種器件隔離結構及其制造方法、半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種器件隔離結構的制造方法，其特征在于，包括： 在襯底1的第一區域進行第一離子注入以形成埋層11； 在所述襯底1的第二區域進行第二離子注入以形成預參雜12，所述第二區域圍繞所述第一區域的外周設置，所述預參雜12中的離子的熱擴散能力大于所述埋層11中的離子的熱擴散能力； 在所述襯底1的設置有所述埋層11和所述預參雜12的一側形成外延層2； 對應所述第二區域在所述外延層2上進行第三離子注入以形成深阱21； 進行熱退火處理，使所述埋層11、所述預參雜12和所述深阱21中的離子進行熱擴散，而使所述埋層11、所述預參雜12和所述深阱21依次連接，所述埋層11、所述預參雜12和所述深阱21包圍的內部區域為器件區域；其中，所述埋層11、所述預參雜12和所述深阱21的導電類型相同。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華為數字能源技術有限公司，其通訊地址為：518043 廣東省深圳市福田區香蜜湖街道香安社區安托山六路33號安托山總部大廈A座研發39層01號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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