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龍圖騰網獲悉湘能華磊光電股份有限公司申請的專利一種半導體發光器件的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114551662B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210186861.8，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權一種半導體發光器件的制備方法是由徐平;許孔祥設計研發完成，并于2022-02-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體發光器件的制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體發光器件的制備方法，涉及半導體領域，制備方法包括：提供藍寶石襯底；對藍寶石襯底進行常規清洗處理后在其上面沉積多孔SiO2薄膜；將表面沉積有多孔SiO2薄膜的藍寶石襯底置入ICP反應腔進行干法刻蝕，在藍寶石襯底的表面形成多個V形孔；在藍寶石襯底表面形成有V形孔的一側沉積多孔立方氮化硼過渡層；生長氮化鎵外延層，獲得完全結構的外延片。上述制備方法能夠提高GaN材料的晶體質量，降低位錯密度，有效提高LED器件的發光效率。

本發明授權一種半導體發光器件的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體發光器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括： 提供藍寶石襯底； 對藍寶石襯底進行常規清洗處理后，將藍寶石襯底置入PECVD反應腔內，在藍寶石襯底的表面沉積多孔SiO2薄膜，所述多孔SiO2薄膜中小孔的直徑為1-5um，相鄰兩個小孔的圓心距離為2-10um； 將表面沉積有多孔SiO2薄膜的藍寶石襯底置入ICP反應腔進行干法刻蝕，在藍寶石襯底的表面形成多個V形孔；所述V形孔沿垂直于藍寶石襯底所在平面的方向朝向所述藍寶石襯底凹陷，且沿垂直于藍寶石襯底所在平面的方向，所述V形孔的高度大于多孔SiO2薄膜的厚度且小于藍寶石襯底的厚度； 將形成有多個V形孔的藍寶石襯底置入化學氣相沉積反應腔內，在藍寶石襯底表面形成有V形孔的一側沉積多孔立方氮化硼薄膜過渡層，所述多孔立方氮化硼過渡層中小孔的直徑為10-80nm，相鄰兩個小孔的圓心距離為20-100nm；所述多孔立方氮化硼過渡層的厚度為所述V形孔的高度的一半； 最后利用金屬有機化合物化學氣相沉淀法在藍寶石襯底表面形成有V形孔和多孔立方氮化硼過渡層的一側依次生長氮化鎵緩沖層、n型半導體層、多量子阱層、電子阻擋層和P型半導體層，獲得完全結構的外延片。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湘能華磊光電股份有限公司，其通訊地址為：423038 湖南省郴州市白露塘有色金屬產業園；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。