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龍圖騰網獲悉深圳芯能半導體技術有限公司申請的專利多溝槽型碳化硅結勢壘肖特基二極管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114883392B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210421871.5，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權多溝槽型碳化硅結勢壘肖特基二極管及其制備方法是由張益鳴;劉杰設計研發完成，并于2022-04-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本多溝槽型碳化硅結勢壘肖特基二極管及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請適用于微電子技術領域，提供了一種多溝槽型碳化硅結勢壘肖特基二極管及其制備方法，多溝槽型碳化硅結勢壘肖特基二極管中的N型外延層設在襯底層上，N型外延層上設有多個PN結溝槽，多個PN結溝槽沿橫向間隔設置，相鄰的兩PN結溝槽之間設有多個肖特基溝槽，多個肖特基溝槽沿橫向間隔設置，每個PN結溝槽的下方設有一個P型區，肖特基金屬層設在N型外延層上，肖特基金屬層上設有多個與PN結溝槽適配的第一凸起和多個與肖特基溝槽適配的第二凸起，每個第一凸起位于對應PN結溝槽中，每個第二凸起位于對應肖特基溝槽中。本申請的多溝槽型碳化硅結勢壘肖特基二極管，可解決目前碳化硅結勢壘肖特基二極管無法有效提升電流密度的問題。

本發明授權多溝槽型碳化硅結勢壘肖特基二極管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種多溝槽型碳化硅結勢壘肖特基二極管的制備方法，其特征在于，包括： 在N型外延層上沉積二氧化硅層，并對所述二氧化硅層進行光刻，得到多個二氧化硅硬掩膜； 在所述二氧化硅硬掩膜上沉積多晶硅層后，對所述多晶硅層進行刻蝕，得到多個多晶硅支撐柱；其中，相鄰的兩個所述二氧化硅硬掩膜之間的兩個所述多晶硅支撐柱作為一個多晶單元； 清除所述二氧化硅硬掩膜后，在所述多晶硅支撐柱上沉積氮化硅，相鄰的兩個所述多晶單元之間留有預設寬度的縫隙； 對所述氮化硅進行刻蝕，使所述多晶硅支撐柱的上邊界暴露，得到多個氮化硅支撐柱； 清除所述多晶硅支撐柱后，以多個所述氮化硅支撐柱作掩膜版，對所述N型外延層進行刻蝕，得到多個碳化硅溝槽； 在所述碳化硅溝槽中沉積玻璃制劑后，對所述玻璃制劑進行刻蝕，使所述玻璃制劑的上邊界低于所述氮化硅支撐柱的上邊界或使所述玻璃制劑的上邊界與所述氮化硅支撐柱的上邊界齊平； 在所述玻璃制劑和所述氮化硅支撐柱上沉積光刻膠后，對所述光刻膠進行光刻，得到PN結注入區； 清除所述PN結注入區處的玻璃制劑，得到PN結溝槽； 清除所述光刻膠，在所述PN結溝槽內注入鋁離子，得到P型區，所述P型區與所述N型外延層的交界面形成PN結； 清除所述氮化硅支撐柱和所述玻璃制劑，得到肖特基溝槽； 在所述N型外延層上沉積肖特基金屬，得到所述多溝槽型碳化硅結勢壘肖特基二極管。

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