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龍圖騰網獲悉華中科技大學;深圳華中科技大學研究院申請的專利基于鐵電納米空隙的陡峭亞閾值擺幅雙極型晶體管及制備方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114975630B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202210604495.3，技術領域涉及：H10D30/60；該發(fā)明授權基于鐵電納米空隙的陡峭亞閾值擺幅雙極型晶體管及制備方法是由游龍;關曜東;郭喆設計研發(fā)完成，并于2022-05-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于鐵電納米空隙的陡峭亞閾值擺幅雙極型晶體管及制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于鐵電納米空隙的陡峭亞閾值擺幅雙極型晶體管及制備方法，其中晶體管包括由下至上依次設置的襯底、緩沖層、導電薄膜層、鐵電介質薄膜層和柵極，以及頂柵控制信號單元和源漏信號輸入單元；頂柵控制信號單元一端與柵極連接，另一端與串聯(lián)支路連接；源漏信號輸入單元的兩端分別與導電薄膜層的源極和漏極連接，形成串聯(lián)支路；所述源漏信號輸入單元，用于讀取陡峭亞閾值擺幅雙極型晶體管的電流；所述頂柵控制信號單元，用于輸出電壓產生垂直電場進而控制導電薄膜層中納米空隙的開閉。本發(fā)明提出的陡峭亞閾值擺幅雙極型晶體管，具有接近為零的關斷電流、大導通電流、陡峭的亞閾值擺幅、低功耗以及與傳統(tǒng)CMOS工藝相兼容的優(yōu)勢。

本發(fā)明授權基于鐵電納米空隙的陡峭亞閾值擺幅雙極型晶體管及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于鐵電納米空隙的陡峭亞閾值擺幅雙極型晶體管，其特征在于，包括由下至上依次設置的襯底601、緩沖層602、導電薄膜層603、鐵電介質薄膜層604和柵極605，以及頂柵控制信號單元606和源漏信號輸入單元607； 所述頂柵控制信號單元606一端與柵極605連接，另一端與串聯(lián)支路連接； 所述導電薄膜層603兩端分別作為晶體管的源極和漏極，所述源漏信號輸入單元607的兩端分別與導電薄膜層603兩端的源極和漏極連接，形成串聯(lián)支路；所述源漏信號輸入單元607，用于讀取陡峭亞閾值擺幅雙極型晶體管的電流； 所述頂柵控制信號單元606，用于施加循環(huán)電壓脈沖，在導電薄膜層603中產生納米空隙608，通過輸出電壓產生垂直電場進而控制導電薄膜層603中納米空隙608的開閉； 所述頂柵控制信號單元606輸出為零電壓時，導電薄膜層603中納米空隙608為閉合狀態(tài)，此時，源漏信號輸入單元607用于讀取陡峭亞閾值擺幅雙極型晶體管的導通電流，晶體管呈現(xiàn)開啟狀態(tài)； 所述頂柵控制信號單元606輸出的電壓絕對值高于閾值電壓時，導電薄膜層603中納米空隙608為打開狀態(tài)，此時，源漏信號輸入單元607用于讀取陡峭亞閾值擺幅雙極型晶體管的關斷電流，晶體管呈現(xiàn)關閉狀態(tài)。

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