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龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司申請的專利橫向結(jié)構(gòu)AlN外延的肖特基二極管及制作工藝獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115207097B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210727041.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/85；該發(fā)明授權(quán)橫向結(jié)構(gòu)AlN外延的肖特基二極管及制作工藝是由劉國梁;方雪冰;樊永輝;許明偉;樊曉兵設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-06-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本橫向結(jié)構(gòu)AlN外延的肖特基二極管及制作工藝在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種橫向結(jié)構(gòu)AlN外延的肖特基二極管及制作工藝，該二極管包括：襯底層，具有相對設(shè)置的第一表面和第二表面；背面電極，設(shè)置于襯底層的第一表面；AlN緩沖層、UID?AlN層及N?AlN層依次層疊設(shè)置于襯底層的第二表面；GaN保護(hù)層生長于N?AlN層表面；隔離環(huán)，環(huán)設(shè)于UID?AlN層、N?AlN層和GaN保護(hù)層的邊緣；歐姆接觸金屬層沉積于GaN保護(hù)層上；肖特基接觸金屬層沉積于GaN保護(hù)層上；SiO2鈍化層沉積于歐姆接觸金屬層、肖特基接觸金屬層、隔離環(huán)和GaN保護(hù)層上。本發(fā)明旨在實(shí)現(xiàn)肖特基二極管滿足更高擊穿電壓、更低導(dǎo)通壓降以及在高頻、低開關(guān)損耗的使用需求。

本發(fā)明授權(quán)橫向結(jié)構(gòu)AlN外延的肖特基二極管及制作工藝在權(quán)利要求書中公布了：1.一種橫向結(jié)構(gòu)AlN外延的肖特基二極管，包括： 襯底層，所述襯底層具有相對設(shè)置的第一表面和第二表面； 背面電極，設(shè)置于所述襯底層的第一表面； AlN緩沖層，并在所述AlN緩沖層上外延生長以形成n型AIN外延勢壘層，所述n型AIN外延勢壘層為高電阻率的外延層，其中，所述n型AIN外延勢壘層劃分為UID-AlN層及N-AlN層，所述AlN緩沖層、UID-AlN層及N-AlN層依次層疊設(shè)置于所述襯底層的第二表面；所述襯底層與AlN的晶格匹配設(shè)置； GaN保護(hù)層，所述GaN保護(hù)層生長于所述N-AlN層表面； 隔離環(huán)，所述隔離環(huán)環(huán)設(shè)于所述UID-AlN層、N-AlN層和GaN保護(hù)層的邊緣； 歐姆接觸金屬層，所述歐姆接觸金屬層沉積于所述GaN保護(hù)層上，且靠近所述隔離環(huán)設(shè)置； 肖特基接觸金屬層，所述肖特基接觸金屬層沉積于所述GaN保護(hù)層上，且所述肖特基接觸金屬層位于所述肖特基二極管的中心位置； SiO2鈍化層，所述SiO2鈍化層沉積于所述歐姆接觸金屬層、肖特基接觸金屬層、隔離環(huán)和GaN保護(hù)層上。

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