上海華力集成電路制造有限公司朱檸镕獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海華力集成電路制造有限公司申請的專利一種鰭式場效應晶體管的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115101416B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210744429.6，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種鰭式場效應晶體管的制造方法是由朱檸镕;翁文寅設計研發完成，并于2022-06-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種鰭式場效應晶體管的制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種鰭式場效應晶體管的制造方法。該鰭式場效應晶體管的制造方法包括：提供具有鰭片的半導體襯底；采用第一N型離子對所述鰭片的部分區域注入N型離子，并對所述鰭片進行第一尖峰退火處理，形成反摻雜區；采用第一劑量的第二N型離子對所述反摻雜區兩側的鰭片的部分區域注入N型離子，并對所述鰭片進行第二尖峰退火處理，形成淺摻雜區；采用第二劑量的第二N型離子對所述反摻雜區兩側且位于所述淺摻雜區外圍的鰭片注入N型離子。通過形成反摻雜區降低熱載流子效應，并增加尖峰退火工藝改善反摻雜離子注入損傷，并改變源漏區的離子注入方式，還對柵極氧化層進行高溫退火工藝，提升薄膜質量，降低熱載流子效應的負面影響。
本發明授權一種鰭式場效應晶體管的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供具有鰭片2的半導體襯底1，相鄰所述鰭片2之間形成有淺溝槽隔離結構3； 采用第一N型離子對所述鰭片2的部分區域注入N型離子，并對所述鰭片2進行第一尖峰退火處理，形成反摻雜區4； 采用第一劑量的第二N型離子對所述反摻雜區4兩側的鰭片2的部分區域注入N型離子，并對所述鰭片2進行第二尖峰退火處理，形成淺摻雜區5； 采用第二劑量的第二N型離子對所述反摻雜區4兩側且位于所述淺摻雜區5外圍的鰭片2注入N型離子，并對所述鰭片2進行第三尖峰退火處理，形成源區7和漏區8，其中，第二劑量大于第一劑量； 所述反摻雜區4從所述淺摻雜區5的側面延伸到所述淺摻雜區5的至少部分底部下方，以至少部分地包圍所述淺摻雜區5，且所述反摻雜區4分別與其兩側的所述淺摻雜區5、源區7、漏區8不相連。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華力集成電路制造有限公司，其通訊地址為：201314 上海市浦東新區良騰路6號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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