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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利具有保護網格的等離子體增強原子層沉積的系統和方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115747765B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210817186.4，技術領域涉及：C23C16/455；該發明授權具有保護網格的等離子體增強原子層沉積的系統和方法是由李偉豪;許倍誠;李信昌設計研發完成，并于2022-07-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本具有保護網格的等離子體增強原子層沉積的系統和方法在說明書摘要公布了：本公開涉及具有保護網格的等離子體增強原子層沉積的系統和方法。等離子體增強原子層沉積PEALD系統包括工藝室。在工藝室內支撐靶材襯底。在工藝室內在靶材襯底之上放置網格。網格包括從網格的第一側延伸到網格的第二側的多個孔。在PEALD工藝期間，等離子體產生器產生等離子體。在等離子體與靶材襯底反應之前，通過使等離子體通過網格中的孔來降低等離子體的能量。

本發明授權具有保護網格的等離子體增強原子層沉積的系統和方法在權利要求書中公布了：1.一種用于執行薄膜工藝的系統，包括： 等離子體輔助薄膜沉積室，包括流體入口，所述流體入口被配置為使工藝流體流入所述等離子體輔助薄膜沉積室； 靶材支撐件，所述靶材支撐件在所述等離子體輔助薄膜沉積室內且在所述流體入口下方，并且所述靶材支撐件被配置為支撐所述等離子體輔助薄膜沉積室內的靶材； 第一網格，所述第一網格在所述等離子體輔助薄膜沉積室內且在所述流體入口和所述靶材支撐件之間，所述第一網格包括： 第一側，所述第一側遠離所述靶材支撐件； 第二側，所述第二側靠近所述靶材支撐件；以及 多個第一孔，所述多個第一孔在所述靶材支撐件之上在所述第一側和所述第二側之間延伸；以及 第二網格，所述第二網格在所述等離子體輔助薄膜沉積室內且在所述第一網格和所述靶材支撐件之間，并且所述第二網格包括： 第三側，所述第三側遠離所述靶材支撐件； 第四側，所述第四側靠近所述靶材支撐件；以及 多個第二孔，所述多個第二孔在所述靶材支撐件之上在所述第三側和所述第四側之間延伸， 其中，所述第二孔相對于所述第一孔橫向偏移，使得穿過任一個所述第一孔的垂直線不穿過任一個所述第二孔。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。