電子科技大學李沫獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉電子科技大學申請的專利一種垂直納米空氣溝道二極管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115411090B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210868468.7，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種垂直納米空氣溝道二極管及其制備方法是由李沫;魏亞洲;陳飛良;張健設計研發完成，并于2022-07-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種垂直納米空氣溝道二極管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種垂直納米空氣溝道二極管及制備方法，屬于半導體器件技術領域。本發明的結構包括自下而上依次層疊的襯底、緩沖層、發射極、介質層和接收極層；所述發射極為摻雜濃度在1018cm?3以上的n型高摻雜氮化鎵或AlGaNGaN異質結，通過n型高摻雜氮化鎵或AlGaNGaN異質結界面的二維電子氣發射，提高了載流子數量并改善了能帶特性；實現更低的開啟電壓與更大的發射電流。本發明的制備工藝通過常規的等離子增強化學氣相沉積、光刻、電子束蒸發、剝離、干法刻蝕工藝實現，不依賴高精度高成本的納米工藝制備技術；具備低成本、便于集成化等優點，適用于晶圓級納米空氣溝道二極管陣列的批量生產。
本發明授權一種垂直納米空氣溝道二極管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種垂直納米空氣溝道二極管，包括自下而上依次層疊的襯底、緩沖層、發射極、介質層和接收極層，其特征在于： 所述發射極為AlGaNGaN異質結，包括第一半導體層和第二半導體層,第一半導體層材料為氮化鎵GaN、第二半導體層材料為鋁鎵氮AlGaN；第一半導體層為一個正方形基板和疊加在正方形基板上的柱體構成的階梯式結構，第二半導體層層疊在柱體上，其結構、尺寸均與柱體相同，且兩者的連接界面處形成有二維電子氣； 所述介質層、接收極層的結構、尺寸均與第二半導體相同；第二半導體層、介質層、接收極層依次層疊在一起后使正方形基板上表面與接收極層之間形成空氣溝道。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人電子科技大學，其通訊地址為：611731 四川省成都市高新區（西區）西源大道2006號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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