福建金石能源有限公司林朝暉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉福建金石能源有限公司申請的專利一種異質結太陽能電池的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115425114B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211215493.1，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權一種異質結太陽能電池的制造方法是由林朝暉;林楷睿設計研發完成，并于2022-09-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種異質結太陽能電池的制造方法在說明書摘要公布了：本發明屬于太陽能電池技術領域，涉及一種異質結太陽能電池的制造方法，它包括如下步驟，A，對半導體基板進行雙面制絨；B，在半導體基板表面上形成隧穿氧化層；C，在隧穿氧化層上形成N型多晶硅層；D，在半導體基板向光面的N型多晶硅層上形成掩膜層；E，從半導體基板背光面進行等離子處理。本發明的目的在于提供一種異質結太陽能電池的制造方法，其工藝較簡潔，既保持了N型多晶硅層高導電和低設備投資成本的優勢，又保持了異質結良好鈍化、高開路電壓的技術特點。
本發明授權一種異質結太陽能電池的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種異質結太陽能電池的制造方法，其特征在于：它包括如下步驟， A，對半導體基板進行雙面制絨； B，在半導體基板雙面上形成隧穿氧化層； C，在隧穿氧化層上形成N型多晶硅層； D，在半導體基板向光面的N型多晶硅層上形成掩膜層； E，從半導體基板背光面進行等離子處理； F，去除半導體基板背光面上的N型多晶硅層和隧穿氧化層； G，去除掩膜層； H，在半導體基板背光面上形成第二本征非晶硅層； I，在第二本征非晶硅層上形成P型摻氧微晶硅層； 所述步驟E中的等離子處理為，將氫氣或含有氫氣的混合氣體離子化，從半導體基板背光面穿入對半導體基板的表面進行等離子處理，以利用氫氣分子離子化后穿過半導體基板修復向光面半導體基板界面與隧穿氧化層間的缺陷態密度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人福建金石能源有限公司，其通訊地址為：362200 福建省泉州市晉江市經濟開發區（五里園）泉源路17號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
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