中國科學院半導體研究所梁松獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉中國科學院半導體研究所申請的專利雙光柵半導體激光器的制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115832868B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211730474.2，技術領域涉及：H01S5/125；該發明授權雙光柵半導體激光器的制作方法是由梁松;郭竟;朱旭愿;李振宇;李歡設計研發完成，并于2022-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本雙光柵半導體激光器的制作方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種雙光柵半導體激光器的制作方法，包括：在襯底的上表面依次生長第一量子阱材料層、第一光柵材料層、間隔層以及第二光柵材料層，構成激光器的大致輪廓，并將激光器劃分為分布反射鏡區和分布反饋區；去除分布反饋區的第二光柵材料層；分別在分布反射鏡區以及分布反饋區制作第一光柵以及第二光柵；在第一光柵與第二光柵之上生長包層材料；在分布反饋區的包層材料上制作第一P電極以及在襯底的下表面制作第一N電極。
本發明授權雙光柵半導體激光器的制作方法在權利要求書中公布了：1.一種雙光柵半導體激光器的制作方法，包括： 在第一襯底的上表面依次生長第一量子阱材料層、第一光柵材料層、間隔層以及第二光柵材料層，構成激光器的大致輪廓，并將所述激光器劃分為分布反射鏡區和分布反饋區； 去除所述分布反饋區的第二光柵材料層； 分別在所述分布反射鏡區以及所述分布反饋區制作第一光柵以及第二光柵； 在所述第一光柵與所述第二光柵之上生長包層材料； 在所述分布反饋區的所述包層材料上制作第一P電極以及在所述第一襯底的下表面制作第二N電極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院半導體研究所，其通訊地址為：100083 北京市海淀區清華東路甲35號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
以上內容由AI智能生成
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號