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龍圖騰網(wǎng)獲悉杭州睿笛生物科技有限公司申請(qǐng)的專利一種納米顆粒復(fù)合磁光薄膜及其制備方法和應(yīng)用獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116288157B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202310112256.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C14/16；該發(fā)明授權(quán)一種納米顆粒復(fù)合磁光薄膜及其制備方法和應(yīng)用是由宋玉軍;陳永剛;婁培陽(yáng)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-02-14向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種納米顆粒復(fù)合磁光薄膜及其制備方法和應(yīng)用在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種納米顆粒復(fù)合磁光薄膜及其制備方法與應(yīng)用，屬于磁光薄膜制備和傳感應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。采用磁控濺射方法在硅片上制備CoFeBW薄膜作為基底，在薄膜上旋涂沉積金鉑納米顆粒層或者沉積金納米顆粒層與覆蓋層鎢層。該方法通過(guò)將具有表面等離子體效應(yīng)的金和具有高自旋軌道耦合效應(yīng)的鉑、鎢結(jié)合，利用兩種效應(yīng)的協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)了CoFeB薄膜的縱向磁光克爾效應(yīng)的增強(qiáng)。其作為敏感原件在生物分子傳感器、病毒、細(xì)菌、生物功能分子及生物武器探測(cè)中具有較大的應(yīng)用空間。

本發(fā)明授權(quán)一種納米顆粒復(fù)合磁光薄膜及其制備方法和應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種納米顆粒復(fù)合磁光薄膜，其特征在于：所述納米顆粒復(fù)合磁光薄膜以Si為基底，依次復(fù)合鎢層、磁性層CoFeB、金納米顆粒層或金鉑合金納米顆粒層制備得到；所述磁性層CoFeB的厚度為50-100nm，所述鎢層的厚度為2-5nm； 所述金納米顆粒的直徑為1-200nm，每1cm2面積磁性層基底CoFeBWSi上具有金納米顆粒0.005~0.025mg； 所述金鉑合金納米顆粒的直徑為1-200nm，每1cm2面積磁性層基底CoFeBWSi上具有金鉑合金納米顆粒0.005~0.03mg。

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