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龍圖騰網(wǎng)獲悉合肥工業(yè)大學(xué)申請(qǐng)的專利薄基片的基底的應(yīng)力求解方法及求解裝置與計(jì)算機(jī)終端獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116305957B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202310285259.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F30/20；該發(fā)明授權(quán)薄基片的基底的應(yīng)力求解方法及求解裝置與計(jì)算機(jī)終端是由劉海軍;代明輝;韓江;夏鏈;田曉青;陳珊;黃曉勇設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-03-22向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本薄基片的基底的應(yīng)力求解方法及求解裝置與計(jì)算機(jī)終端在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于精密測量與分析技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及薄基片的基底的應(yīng)力求解方法及求解裝置與計(jì)算機(jī)終端。該方法包括：獲取薄基片的彈性模量E、泊松比μ、厚度h、直徑D，薄膜的厚度t、薄膜應(yīng)力σ，薄基片變形后的曲率系數(shù)a和b；根據(jù)E、μ、h、D、t、σ、a和b，通過設(shè)計(jì)好的徑向應(yīng)力計(jì)算模型得到徑向應(yīng)力σrr。徑向應(yīng)力計(jì)算模型的設(shè)計(jì)方法為：式中，z為所述薄基片的Z軸上的坐標(biāo)。本發(fā)明還可以通過設(shè)計(jì)好的向應(yīng)力計(jì)算模型得到周向應(yīng)力。本發(fā)明使用力學(xué)計(jì)算的方法，得到大變形薄基片基底中的應(yīng)力狀態(tài)，利用該方法可以方便快捷的求解不同材料和尺寸大變形薄基片基底中的應(yīng)力。

本發(fā)明授權(quán)薄基片的基底的應(yīng)力求解方法及求解裝置與計(jì)算機(jī)終端在權(quán)利要求書中公布了：1.一種大變形薄基片的基底的應(yīng)力求解方法，定義所述薄基片變形前的徑向?yàn)閄軸、周向?yàn)閅軸、垂直于X軸和Y軸的為Z軸，所述薄基片變形前中性面的圓心為坐標(biāo)原點(diǎn)；所述薄基片還包括鋪設(shè)在所述基底上的薄膜，其特征在于，所述應(yīng)力求解方法包括所述基底的徑向應(yīng)力σ rr 的計(jì)算方法，所述徑向應(yīng)力σ rr 的計(jì)算方法包括以下步驟： S1、獲取所述薄基片的彈性模量E、泊松比μ、厚度h、直徑D；還獲取所述薄膜的厚度t、薄膜應(yīng)力σ；還獲取所述薄基片變形后的曲率系數(shù)a和b； S2、根據(jù)E、μ、h、D、t、σ、a和b，通過設(shè)計(jì)好的徑向應(yīng)力計(jì)算模型得到所述徑向應(yīng)力σ rr ；其中，所述徑向應(yīng)力計(jì)算模型的設(shè)計(jì)方法為： 式中，z為所述薄基片的Z軸上的坐標(biāo)。

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