買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉中航凱邁(上海)紅外科技有限公司申請的專利一種中波紅外焦平面探測器冷屏內(nèi)表面的處理方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116479389B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310568091.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C14/32；該發(fā)明授權(quán)一種中波紅外焦平面探測器冷屏內(nèi)表面的處理方法是由司俊杰;賈衛(wèi)民;王三煜;王巍;王理文;蘇現(xiàn)軍設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-05-19向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種中波紅外焦平面探測器冷屏內(nèi)表面的處理方法在說明書摘要公布了：一種中波紅外焦平面探測器冷屏內(nèi)表面的處理方法，涉及紅外光電探測器制造領(lǐng)域，具體包括以下操作步驟：對加工成型的探測器冷屏表面清潔，對冷屏表面不需黑化部分采用鋁箔進(jìn)行包覆覆蓋；蒸鍍InSb薄膜作為打底層覆蓋至探測器冷屏內(nèi)表面后，提高蒸鍍時真空室內(nèi)Ar氣體的分壓強(qiáng)，對探測器冷屏內(nèi)表面再進(jìn)行一次InSb薄膜覆蓋，完成InSb薄膜制備，在InSb薄膜外部采用離子蒸鍍法制備ZnS薄膜，離子蒸鍍完畢后，對真空腔充Ar氣體，并對冷屏進(jìn)行高溫烘烤后退火；本發(fā)明所制備的InSb多晶薄膜，膜基結(jié)合力即附著力強(qiáng)，膜層不易脫落，能實現(xiàn)較好的表面覆蓋，在InSb多晶薄膜表面采用離子蒸鍍方法覆蓋了一層ZnS增透膜，保證了InSb薄膜對入射中波紅外光具有高的吸收率。

本發(fā)明授權(quán)一種中波紅外焦平面探測器冷屏內(nèi)表面的處理方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種中波紅外焦平面探測器冷屏內(nèi)表面的處理方法，其特征是：具體包括以下操作步驟： S1、對加工成型的探測器冷屏表面進(jìn)行清洗，去除表面玷污，并對冷屏表面不需黑化部分采用鋁箔進(jìn)行包覆覆蓋； S2、將冷屏放入離子鍍膜系統(tǒng)的真空腔內(nèi)并固定，高純InSb和高純Sb材料分別放于離子鍍膜系統(tǒng)的蒸發(fā)舟中，InSb：Sb的用量比為（10-12）：1； S3、接上一步驟，離子鍍膜系統(tǒng)中的背景壓強(qiáng)抽至低于1×10-4Pa，用加熱器加熱冷屏，使其表面脫出吸附氣體； S4、將高純氬氣通入真空腔，采用Ar離子轟擊清洗； S5、調(diào)整真空度至3×10-2Pa，打開蒸發(fā)電源，對蒸發(fā)舟升溫至將高純InSb融化,再升溫使高純Sb材料融化至高純InSb中，調(diào)整加熱器將冷屏零件溫度加溫；調(diào)節(jié)離子鍍脈沖離子源的直流脈沖偏壓和脈沖占空比，并調(diào)節(jié)蒸發(fā)舟溫度，蒸鍍InSb薄膜作為打底層覆蓋至探測器冷屏內(nèi)表面； S6、提高蒸鍍時真空室內(nèi)Ar氣體的分壓強(qiáng)，對探測器冷屏內(nèi)表面再進(jìn)行一次InSb薄膜覆蓋，作為InSb紅外吸收層，完成InSb薄膜制備，停止InSb+Sb蒸發(fā)； S7、在InSb薄膜外部采用離子蒸鍍法制備ZnS薄膜，保證所制備ZnS薄膜厚度滿足中波紅外單層增透膜厚度的要求； S8、離子蒸鍍完畢后，對真空腔充Ar氣體，并對冷屏進(jìn)行高溫烘烤后退火。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中航凱邁(上海)紅外科技有限公司，其通訊地址為：201311 上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)天驕路336號1幢A206室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。