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龍圖騰網(wǎng)獲悉江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司申請的專利發(fā)光層結(jié)構(gòu)、復(fù)合插入層結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119092606B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411183479.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/812；該發(fā)明授權(quán)發(fā)光層結(jié)構(gòu)、復(fù)合插入層結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用是由閆其昂;王國斌設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-08-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本發(fā)光層結(jié)構(gòu)、復(fù)合插入層結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種發(fā)光層結(jié)構(gòu)、復(fù)合插入層結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用。復(fù)合插入層結(jié)構(gòu)包括：至少一個(gè)復(fù)合插入層單元，所述復(fù)合插入層單元包括沿選定方向依次層疊的第一AlN層、第一SiN層、第二AlN層和第二SiN層，其中，所述第一AlN層、所述第一SiN層和所述第二AlN層形成的疊層結(jié)構(gòu)層的內(nèi)部具有交雜分布的多個(gè)AlN微結(jié)構(gòu)和多個(gè)SiN微結(jié)構(gòu)。本發(fā)明降低了外延片中發(fā)光層的應(yīng)力，增強(qiáng)了發(fā)光層內(nèi)的輻射復(fù)合效率，提高了LED外延片的亮度。

本發(fā)明授權(quán)發(fā)光層結(jié)構(gòu)、復(fù)合插入層結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種復(fù)合插入層結(jié)構(gòu)，設(shè)置在發(fā)光層結(jié)構(gòu)內(nèi)，其特征在于，包括：至少一個(gè)復(fù)合插入層單元，所述復(fù)合插入層單元包括沿選定方向依次層疊的第一AlN層、第一SiN層、第二AlN層和第二SiN層，其中，所述第一AlN層、所述第一SiN層和所述第二AlN層形成的疊層結(jié)構(gòu)層的內(nèi)部具有交雜分布的多個(gè)AlN微結(jié)構(gòu)和多個(gè)SiN微結(jié)構(gòu)，多個(gè)所述AlN微結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第一AlN微結(jié)構(gòu)和多個(gè)第二AlN微結(jié)構(gòu)，多個(gè)所述第一AlN微結(jié)構(gòu)和多個(gè)所述第二AlN微結(jié)構(gòu)間隔分布在所述第一SiN層內(nèi)，多個(gè)所述SiN微結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第一SiN微結(jié)構(gòu)和多個(gè)第二SiN微結(jié)構(gòu)，多個(gè)所述第一SiN微結(jié)構(gòu)間隔分布在所述第一AlN層內(nèi)，多個(gè)所述第二SiN微結(jié)構(gòu)間隔分布在所述第二AlN層內(nèi)。

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