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龍圖騰網(wǎng)獲悉湖北九峰山實驗室申請的專利一種半導(dǎo)體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119545870B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411715913.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件是由王寬;郭飛;成志杰;吳陽陽;陳偉;袁俊設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-11-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導(dǎo)體器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件，包括N+襯底、N?外延層以及多個柵極溝槽，N?外延層包括多個P+掩埋層和多個第一N+區(qū)域，其交替夾設(shè)在N?外延層的中部，每個第一N+區(qū)域的厚度均大于每個P+掩埋層的厚度，且第一N+區(qū)域靠近N+襯底以及遠(yuǎn)離N+襯底的兩側(cè)均突出于P+掩埋層設(shè)置；還包括多個第一P+區(qū)域和多個第二N+區(qū)域，其交替設(shè)在P阱區(qū)遠(yuǎn)離N+襯底的一側(cè)；每個柵極溝槽的開口貫穿P阱區(qū)遠(yuǎn)離N+襯底的一側(cè)，位于P阱區(qū)和N+襯底之間的N?外延層上，每個第二N+區(qū)域圍設(shè)在對應(yīng)柵極溝槽的外側(cè)。本發(fā)明對柵氧起到了保護作用，減輕了P型區(qū)域在器件中引入的JFET區(qū)域，減小了器件的導(dǎo)通電阻。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括： 漏電極； N+襯底，敷設(shè)在所述漏電極的一側(cè)； N-外延層，敷設(shè)在所述N+襯底遠(yuǎn)離所述漏電極的一側(cè)，所述N-外延層包括： 多個P+掩埋層和多個第一N+區(qū)域，交替夾設(shè)在所述N-外延層的中部，每個第一N+區(qū)域的厚度均大于每個P+掩埋層的厚度，且所述第一N+區(qū)域靠近所述N+襯底以及遠(yuǎn)離所述N+襯底的兩側(cè)均突出于所述P+掩埋層設(shè)置； P阱區(qū)，位于所述N-外延層遠(yuǎn)離所述N+襯底的一側(cè)； 多個第一P+區(qū)域和多個第二N+區(qū)域，交替設(shè)在所述P阱區(qū)遠(yuǎn)離所述N+襯底的一側(cè)，所述多個第一P+區(qū)域與所述多個第一N+區(qū)域一一對應(yīng)且相對設(shè)置； 多個柵極溝槽，與所述多個第二N+區(qū)域一一對應(yīng)設(shè)置，每個柵極溝槽的開口貫穿所述P阱區(qū)遠(yuǎn)離所述N+襯底的一側(cè)，底部穿過所述P阱區(qū)，位于所述P阱區(qū)和所述N+襯底之間的所述N-外延層上，每個第二N+區(qū)域圍設(shè)在對應(yīng)柵極溝槽的外側(cè)，所述柵極溝槽內(nèi)形成有柵極，所述P阱區(qū)遠(yuǎn)離所述N+襯底的一側(cè)形成有源極； 每個柵極溝槽與所述N+襯底平行的長度方向為第一方向，垂直于所述柵極溝槽的長度的方向為第二方向； 所述N-外延層遠(yuǎn)離所述N+襯底的一側(cè)沿第一方向間隔設(shè)有多個第二P+區(qū)域，每個第二P+區(qū)域沿所述第二方向設(shè)置，所述第二P+區(qū)域用以隔斷每個第一P+區(qū)域、每個第二N+區(qū)域和每個第一N+區(qū)域，且通過隔斷部分以使所述P+掩埋層與所述源極連通。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人湖北九峰山實驗室，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)九龍湖街9號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。