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龍圖騰網獲悉中國科學院上海技術物理研究所申請的專利一種具有雙增透結構的MEMS法布里-珀羅濾波器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119758643B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510082813.8，技術領域涉及：G02F1/21；該發明授權一種具有雙增透結構的MEMS法布里-珀羅濾波器是由王鵬;張坤;郭家祥;張濤;鄧科;彭嘉慧;胡偉達設計研發完成，并于2025-01-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種具有雙增透結構的MEMS法布里-珀羅濾波器在說明書摘要公布了：本發明涉及光學MEMS微納器件技術領域，具體公開一種具有雙增透結構的MEMS法布里?珀羅濾波器，其包括依次設置的微結構、驅動結構、上布拉格反射鏡、下布拉格反射鏡、補償結構和襯底；所述下布拉格反射鏡具有第一低折射率薄膜層，所述補償結構與所述第一低折射率薄膜層的材質相同；所述補償結構和第一低折射率薄膜層的厚度相同；所述微結構和補償結構構成雙增透結構。該補償結構提高下布拉格反射鏡的反射率，同時補償下布拉格反射鏡的應力，使得平整度增加，增加法布里?珀羅腔內光能的利用率；兩者共同作用使整個MEMS法布里?珀羅濾波器透射光譜的透射率得到提升，濾波質量得到大幅提升。

本發明授權一種具有雙增透結構的MEMS法布里-珀羅濾波器在權利要求書中公布了：1.一種具有雙增透結構的MEMS法布里-珀羅濾波器，其特征在于，包括：依次設置的微結構、驅動結構、上布拉格反射鏡、下布拉格反射鏡、補償結構和襯底； 所述微結構具有多個納米柱，多個所述納米柱構成周期陣列，所述納米柱的形狀為中心對稱結構； 所述下布拉格反射鏡具有第一低折射率薄膜層，所述補償結構與所述第一低折射率薄膜層的材質相同； 所述補償結構和第一低折射率薄膜層的厚度均為四分之一或四分之三波長光學厚度； 所述微結構和補償結構構成雙增透結構； 所述驅動結構包含有支撐結構、懸臂結構、上電極結構和下電極結構； 所述支撐結構包含有硅平板和二氧化硅支撐體，所述硅平板和二氧化硅支撐體從上至下依次設置； 所述上電極結構配置于硅平板的下表面，并且所述上電極結構的中間設置有第一圓形缺口，所述上布拉格反射鏡嵌在所述第一圓形缺口中； 所述下電極結構配置于二氧化硅支撐體的下端，并且所述下電極結構設置有與第一圓形缺口對應的第二圓形缺口； 所述上布拉格反射鏡配置為與所述上電極結構位于同一層，所述下布拉格反射鏡配置于所述下電極結構的下表面； 所述上布拉格反射鏡由高折射率薄膜層I、第一低折射率薄膜層和高折射率薄膜層II堆疊而成，所述高折射率薄膜層I、第一低折射率薄膜層和高折射率薄膜層II的材質分別為鍺、二氧化硅和鍺； 所述下布拉格反射鏡由高折射率薄膜層III、第二低折射率薄膜層和高折射率薄膜層IV堆疊而成，所述高折射率薄膜層III、第二低折射率薄膜層和高折射率薄膜層IV的材質分別為鍺、二氧化硅和鍺； 在所述下布拉格反射鏡中，鍺和二氧化硅薄膜會分別產生拉應力和壓應力，由于鍺所產生的拉應力遠大于二氧化硅產生的壓應力，所以鍺、二氧化硅和鍺薄膜會產生額外的拉應力導致下布拉格反射鏡的平整度下降，使得法布里-珀羅腔內干涉強度下降，導致MEMS法布里-珀羅濾波器的透射率降低； 所述補償結構的材質為二氧化硅，所述補償結構為與所述下布拉格反射鏡中的第二低折射率薄膜層的同等厚度，用于提供對下布拉格反射鏡的應力補償，以降低拉應力，增加所述下布拉格反射鏡的平整度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院上海技術物理研究所，其通訊地址為：200083 上海市虹口區中山北一路420號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。