季華實驗室李宣令獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉季華實驗室申請的專利micro LED芯片巨量轉移方法及電子元器件獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120152474B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510608030.9,技術領域涉及:H10H29/03;該發明授權micro LED芯片巨量轉移方法及電子元器件是由李宣令;李磊;畢海設計研發完成,并于2025-05-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本micro LED芯片巨量轉移方法及電子元器件在說明書摘要公布了:本發明公開了一種microLED芯片巨量轉移方法及電子元器件,涉及半導體制造技術領域,在驅動電路板上陣列且間隔安裝多個電極固定塊組,以獲得多個目標固定位,在獲得多個目標固定位,將驅動電路板以及和驅動電路板上的目標固定位的數量一致的microLED芯片均放置于同一預設溶液中時,能夠為每一個microLED芯片提供一目標固定位,便于進行microLED芯片的巨量轉移作業,在三維光場作用下,利用光阱將各microLED芯片以目標放置姿態被對應的光阱捕獲并轉移至對應的一目標固定位,使得本發明實現對microLED芯片進行批量轉移的功能,確保了microLED芯片的轉移效率也不會對microLED芯片造成損傷。
本發明授權micro LED芯片巨量轉移方法及電子元器件在權利要求書中公布了:1.一種microLED芯片巨量轉移方法,其特征在于,包括如下步驟: 在驅動電路板上陣列且間隔安裝多個電極固定塊組,以獲得多個目標固定位,其中,各所述電極固定塊組形成一所述目標固定位,所述電極固定塊組包括P電極固定塊和N電極固定塊,所述P電極固定塊的外周和所述N電極固定塊的外周均涂覆有光固化導電膠,所述P電極固定塊的高度大于所述N電極固定塊的高度,所述P電極固定塊與所述N電極固定塊組成類L型microLED芯片; 將所述驅動電路板以及多塊microLED芯片均放置于同一預設溶液中,形成目標溶液;其中,所述microLED芯片的數量與所述目標固定位的數量一致,且各所述microLED芯片與一所述目標固定位對應匹配,所述microLED芯片懸浮于所述目標溶液中; 在所述預設溶液中形成多個間隔分布的光阱;其中,所述光阱為空腔結構,且所述光阱的形狀與任一所述microLED芯片的形狀適配; 將所有所述microLED芯片和所述驅動電路板上的所有所述目標固定位進行一一匹配對應; 將三維光場調制成與所有所述目標固定位配合的所述光阱; 任一所述光阱能在所述目標溶液處于流動狀態下捕獲流經其的所述microLED芯片; 根據各所述電極固定塊組的所述P電極固定塊和所述N電極固定塊的方位關系,將各所述microLED芯片的當前放置姿態調整為目標放置姿態,以使各所述microLED芯片的所述P電極和所述N電極的方位能分別與對應的所述電極固定塊組的所述P電極固定塊和所述N電極固定塊的方位對應匹配; 通過各所述光阱將與其匹配的所述microLED芯片以所述目標放置姿態攜帶并轉移至所述目標固定位,使所述microLED芯片的P電極和N電極分別與對應的所述目標固定位的所述P電極固定塊和N電極固定塊電導通; 利用預設波長的陣列光照射所有所述目標固定位,以將所有所述microLED芯片光固化至對應的所述目標固定位,獲得電子元器件。
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