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龍圖騰網獲悉中科(深圳)無線半導體有限公司申請的專利一種藍寶石氮化鎵異質材料外延結構及其外延生長方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120129272B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510620715.5，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權一種藍寶石氮化鎵異質材料外延結構及其外延生長方法是由吳義針;汪連山;麻勝恒;孫文紅;陳福鑫設計研發完成，并于2025-05-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種藍寶石氮化鎵異質材料外延結構及其外延生長方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種藍寶石氮化鎵異質材料外延結構及其外延生長方法，涉及半導體器件技術領域，外延結構包括：藍寶石襯底、AlN緩沖層、GaN通道層以及AlGaN障礙層；藍寶石襯底為外延結構的基礎；藍寶石襯底上具有納米圖案，納米圖案具體為多個圖案單元按照陣列方式組成的圖案陣列，每個圖案單元上設置有納米球；AlN緩沖層設置在藍寶石襯底上；GaN通道層設置在AlN緩沖層上，用于電子傳輸；AlGaN障礙層設置在GaN通道層上，用于與GaN通道層共同形成二維電子氣；本發明可以通過納米圖案引導晶體的生長方向和限制位錯的傳播，顯著減少位錯密度，減少晶格失配產生的缺陷，提升GaN外延質量，并提升器件的性能和可靠性。

本發明授權一種藍寶石氮化鎵異質材料外延結構及其外延生長方法在權利要求書中公布了：1.一種藍寶石氮化鎵異質材料外延結構，其特征在于，包括：藍寶石襯底、AlN緩沖層、GaN通道層以及AlGaN障礙層； 所述藍寶石襯底為外延結構的基礎； 所述藍寶石襯底上具有納米圖案，所述納米圖案具體為多個圖案單元按照陣列方式組成的圖案陣列，每個所述圖案單元上設置有納米球； 所述AlN緩沖層設置在所述藍寶石襯底上； 所述GaN通道層設置在所述AlN緩沖層上； 所述AlGaN障礙層設置在所述GaN通道層上； 通過海鷗優化算法，優化確定所述納米圖案的圖案參數； 所述通過海鷗優化算法，優化確定所述納米圖案的圖案參數，具體包括： 初始化海鷗個體，每個海鷗個體代表一種可行的模型參數集合，每個海鷗個體由多個維度分量組成，每個分量代表一個模型參數； 在全局搜索階段，避免碰撞并且向最優個體方向移動： ； ； ； 其中，表示第t次迭代時第i個海鷗個體經過全局搜索階段后的位置，表示第t次迭代時第i個海鷗個體經過防碰撞處理后的位置，A表示控制因子，表示第t次迭代時第i個海鷗個體的位置，表示第t次迭代時第i個海鷗個體向最優個體移動的位移，B表示搜索平衡因子，表示第t次迭代時的最優個體位置； ； 其中，t表示當前迭代次數，T表示最大迭代次數，fc表示線性下降頻率；； 其中，r1表示0到1之間的隨機數； 在局部搜索階段，生成一個隨機數r2，根據隨機數r2，在螺旋搜索策略與包圍策略之間并行選擇，以螺旋運動的方式進行位移： ； ； ； ； ； 其中，表示第t次迭代時第i個海鷗個體螺旋運動后的位置，x表示x方向螺旋飛行系數，y表示y方向螺旋飛行系數，z表示z方向螺旋飛行系數，r表示螺旋飛行軌跡半徑，θ表示0至2π之間的隨機數，u、v表示螺旋常數，e表示自然常數； 對各個海鷗個體執行變異操作： ； 其中，表示第t次迭代時第i個海鷗個體變異后的位置，Pr表示隨機個體，ω表示自適應比例因子； 判斷變異后的位置的適應度值是否大于變異前的位置的適應度值；若是，采用變異后的位置替換變異前的位置；否則，保持變異前的位置不變； 更新各個海鷗個體的適應度值以及全局最優個體； 判斷當前迭代次數是否達到最大迭代次數；若是，輸出當前適應度最高的海鷗個體代表的模型參數集合；否則，返回繼續迭代。

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