深圳市章閣儀器有限公司張隆慶獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳市章閣儀器有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120341178B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510797554.7，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體結構及其形成方法是由張隆慶設計研發完成，并于2025-06-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有疊層結構，疊層結構包括沿縱向自下而上交替堆疊的介質層和第一犧牲層；形成貫穿疊層結構的多個通孔；形成覆蓋通孔側壁的第二犧牲層，第二犧牲層包括沿橫向堆疊的多個子犧牲層；形成填充通孔且覆蓋第二犧牲層的導電柱結構；去除疊層結構中所有的第一犧牲層，形成縱向相鄰的介質層圍成的沿縱向間隔排列的多個第一溝槽；沿每個第一溝槽去除露出的部分第二犧牲層，形成露出導電柱結構部分側壁的第二溝槽，第二溝槽與第一溝槽連通為第三溝槽；形成覆蓋第三溝槽各個側面和底面的介電層；形成填充第三溝槽且覆蓋介電層的導電板結構。本發明有利于保障半導體結構的工作性能。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上形成有疊層結構，所述疊層結構包括沿縱向自下而上交替堆疊的介質層和第一犧牲層； 形成貫穿所述疊層結構的多個通孔； 形成覆蓋所述通孔側壁的第二犧牲層，所述第二犧牲層包括沿橫向堆疊的多個子犧牲層； 形成填充所述通孔且覆蓋所述第二犧牲層的導電柱結構； 去除所述疊層結構中所有的所述第一犧牲層，形成縱向相鄰的介質層圍成的沿縱向間隔排列的多個第一溝槽； 沿每個所述第一溝槽去除露出的部分所述第二犧牲層，形成露出所述導電柱結構部分側壁的第二溝槽，所述第二溝槽與所述第一溝槽連通為第三溝槽； 形成覆蓋所述第三溝槽各個側面和底面的介電層； 形成填充所述第三溝槽且覆蓋所述介電層的導電板結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市章閣儀器有限公司，其通訊地址為：518110 廣東省深圳市龍華區福城街道新和社區觀瀾大道115號龍光玖譽府135；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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