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龍圖騰網獲悉深圳市志金電子有限公司申請的專利一種嵌入式多芯片互連橋及其制備方法和應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120376432B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510837161.4，技術領域涉及：H01L21/60；該發明授權一種嵌入式多芯片互連橋及其制備方法和應用是由康孝恒;屈剛設計研發完成，并于2025-06-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種嵌入式多芯片互連橋及其制備方法和應用在說明書摘要公布了：本發明提供了一種嵌入式多芯片互連橋（EMIB）及其制備方法和應用，屬于集成電路封裝技術領域。本發明以ABF樹脂材料為絕緣材料的基板，替代傳統的以硅為絕緣材料的EMIB。以coreless為承載板，采用ABF材料逐層壓合，用SAP工藝制作銅線路層，待拆分板對稱拆分后，壓合以滿足板厚，再以線路中心切割，可以得到完全對稱的兩塊以ABF為介質的嵌入式多管芯互連橋，其切面為矩陣型的焊盤，可以作為EMIB與芯片封裝對接面。由于使用了ABF樹脂，其介質材料與要嵌入到的IC封裝基板一致，可以大大降低EMIB的應力不均與硅橋開裂風險。且采用ABF制作的EMIB，由于ABF的材料成本與加工成本遠低于硅基材料，因此，具有很明顯的成本優勢。

本發明授權一種嵌入式多芯片互連橋及其制備方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種嵌入式多芯片互連橋的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 在承載板的兩側分別對稱壓合ABF材料，得到壓合板；所述承載板為coreless板，所述coreless板的結構為3μm銅箔、18μm銅箔、中間介質層、18μm銅箔和3μm銅箔； 在所述壓合板四角鉆出定位孔，然后進行雙面沉銅，得到銅種子層； 在所述銅種子層的兩側表面分別依次進行貼膜、曝光和顯影，得到干膜圖形板； 在所述干膜圖形板的兩側表面進行圖形電鍍，形成電鍍銅線路后分別依次進行褪膜、閃蝕和除鈀，形成銅線路層，得到銅線路板； 對所述銅線路板的兩側表面依次進行超粗化、壓合和打靶，得到待拆分板；所述壓合為在所述超粗化后的表面壓合ABF樹脂； 對所述待拆分板依次進行對稱拆分和整板蝕刻，得到拆分板；所述對稱拆分后所得板材僅保留一層銅箔；所述對稱拆分是從coreless板的兩個3μm銅箔18μm銅箔之間拆分開來，得到3個結構：第一壓合的芯板、中間的18μm銅箔中間介質層18μm銅箔以及第二壓合的芯板，所述拆分板包括第一壓合的芯板和第二壓合的芯板，將所述中間的18μm銅箔中間介質層18μm銅箔舍棄，所述對稱拆分得到兩塊所述拆分板，所述拆分板的垂直結構為ABF材料電鍍銅線路3μm銅箔； 將所述拆分板的兩側表面分別壓合ABF樹脂后，依次進行打靶、對稱成型和沉鎳金，得到所述嵌入式多芯片互連橋，所述對稱成型以銅線路層的線路中心切割，所述對稱成型的線路切面為矩陣型的焊盤。

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