山東省科學院激光研究所;濟南藍動激光技術有限公司王兆偉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉山東省科學院激光研究所;濟南藍動激光技術有限公司申請的專利一種光子晶體表面發射激光器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120453853B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510925831.8，技術領域涉及：H01S5/11；該發明授權一種光子晶體表面發射激光器及其制備方法是由王兆偉;祁錦云;唐先勝;甄易;侯仰飛;韓麗麗;宮衛華;李仕龍;王舒蒙設計研發完成，并于2025-07-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種光子晶體表面發射激光器及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請涉及激光器制備技術領域，并提供一種光子晶體表面發射激光器及其制備方法。制備方法包括：在GaAs襯底依次生長n型摻雜層、p型單獨限制層和p+n+隧道結；在p+n+隧道結制備圖形化掩膜結構；圖形化掩膜結構包括多個預設圖形；按照預設圖形刻蝕p+n+隧道結，以得到多個光子晶體；在光子晶體依次生長n型包覆層、未摻雜活性層和p型包覆層；在p型包覆層生長p型電極；在GaAs襯底生長n型電極。該制備方法可以有效解決SHB問題，多個光子晶體可以實現不同的排布形式，以形成能夠實現所需出光方式的圖案，可以實現各方向出光，以滿足光子晶體表面發射激光器的不同出光特性的需求，保證激光器的使用性能。
本發明授權一種光子晶體表面發射激光器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種光子晶體表面發射激光器的制備方法，其特征在于，包括： 在GaAs襯底依次生長n型摻雜層、p型單獨限制層和p++隧道結； 在所述p++隧道結制備圖形化掩膜結構；所述圖形化掩膜結構包括多個預設圖形； 按照所述預設圖形刻蝕所述p++隧道結，以得到多個光子晶體；其中，多個所述光子晶體沿至少兩個方向排布； 在所述光子晶體依次生長n型包覆層、未摻雜活性層和p型包覆層； 在所述p型包覆層生長p型電極； 在所述GaAs襯底生長n型電極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人山東省科學院激光研究所;濟南藍動激光技術有限公司，其通訊地址為：272073 山東省濟寧市高新區海川路46號激光所綜合樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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