中微半導體設備(上海)股份有限公司;南昌中微半導體設備有限公司姜勇獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中微半導體設備(上海)股份有限公司;南昌中微半導體設備有限公司申請的專利用于化學氣相沉積裝置的托盤和化學氣相沉積裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113122825B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911405406.7，技術領域涉及：C23C16/458；該發明授權用于化學氣相沉積裝置的托盤和化學氣相沉積裝置是由姜勇;汪國元設計研發完成，并于2019-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于化學氣相沉積裝置的托盤和化學氣相沉積裝置在說明書摘要公布了：一種用于化學氣相沉積裝置的托盤和化學氣相沉積裝置，其中，所述托盤包括：托盤，可沿其中心軸轉動，設有若干個基片槽，所述基片槽用于容納待處理基片，每個所述基片槽包括遠離所述中心軸的遠心段、靠近所述中心軸的近心段和位于所述遠心段和近心段之間的第一補償段，所述基片槽具有槽中心，所述第一補償段到槽中心的距離為第一距離，所述近心段到槽中心的距離為第二距離，所述第一距離大于第二距離。利用所述化學氣相沉積裝置有利于提高在晶圓邊緣生長外延層的一致性。
本發明授權用于化學氣相沉積裝置的托盤和化學氣相沉積裝置在權利要求書中公布了：1.一種用于化學氣相沉積裝置的托盤，其特征在于，包括： 托盤，可沿其中心軸轉動，設有若干個基片槽，所述基片槽用于容納待處理基片，每個所述基片槽包括遠離所述中心軸的遠心段、靠近所述中心軸的近心段和位于所述遠心段和近心段之間的第一補償段，所述基片槽具有槽中心，所述第一補償段到槽中心的距離為第一距離，所述近心段到槽中心的距離為第二距離，所述第一距離大于第二距離，所述第二距離大于待處理基片的直徑，所述待處理基片具有缺口，所述缺口朝向遠心段，當所述托盤沿其中心軸轉動時，所述待處理基片不受近心段的限制，在離心力的作用下所述缺口周圍的待處理基片與所述遠心段接觸，且所述第一補償段位于所述近心段與所述接觸處之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中微半導體設備(上海)股份有限公司;南昌中微半導體設備有限公司，其通訊地址為：201201 上海市浦東新區金橋出口加工區（南區）泰華路188號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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