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龍圖騰網獲悉中國科學院重慶綠色智能技術研究院申請的專利一種基于超短溝道石墨烯的光電探測器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111081806B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010031070.9，技術領域涉及：H10F30/21；該發明授權一種基于超短溝道石墨烯的光電探測器及其制備方法是由冷重錢;申鈞;聶長斌;張之勝;楊俊;湯林龍;馮雙龍;魏興戰;史浩飛設計研發完成，并于2020-01-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于超短溝道石墨烯的光電探測器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明屬于半導體光電子器件領域，具體涉及一種基于超短溝道石墨烯的光電探測器及其制備方法，該光電探測器結構為：絕緣襯底、金屬電極、石墨烯導電溝道和半導體吸光層。發明提出的基于超短溝道石墨烯的光電探測器，利用聚焦氦離子束加工亞10納米石墨烯導電溝道，可提高石墨烯載流子遷移率，實現超短的渡越時間；同時，石墨烯半導體復合結構有效地提升載流子分離效率，增大載流子的壽命。通過充分發揮石墨烯高遷移率和復合結構有效分離載流子的優勢，實現高增益的光電探測器。本發明提供的光電探測器具有輕薄、增益高、響應度大、工藝重復性佳、易集成等優點，可應用于微弱光探測，是一種極具實用性的光電探測器結構。

本發明授權一種基于超短溝道石墨烯的光電探測器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于超短溝道石墨烯的光電探測器的制備方法，其特征在于，基于超短溝道石墨烯的光電探測器從下往上依次包括：絕緣襯底；建立在所述絕緣襯底上的金屬電極，該金屬電極包括金屬大電極和亞10納米溝道電極，用于測試時探針接觸的金屬大電極與決定溝道線寬的亞10納米溝道電極相連接；覆蓋所述溝道電極的石墨烯導電溝道層；位于所述導電溝道上方的半導體吸光層； 所述制備方法包括以下步驟： （1）在襯底表面沉積金屬形成金屬電極； （2）石墨烯薄膜的制備、轉移及圖形化； （3）在所述石墨烯薄膜上設置半導體吸光層； 步驟1所述的金屬電極形成包括：通過電子束蒸鍍得到金屬大電極，基于雙層膠剝離工藝進行結構化，首先旋涂雙層光刻膠，曝光顯影留下膠結構，然后蒸鍍沉積金屬薄膜，使用丙酮去除光刻膠，光刻膠表面的金屬薄膜一并剝離掉，最終形成金屬大電極，采用濺射法制備超薄金屬，基于pA級小束流聚焦氦離子束加工技術實現亞10納米的電極間距，最終形成溝道電極。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院重慶綠色智能技術研究院，其通訊地址為：400714 重慶市北碚區方正大道266號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。