三星電子株式會社李奉镕獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利豎直半導體裝置及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112071855B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010528944.1，技術領域涉及：H10B43/35；該發明授權豎直半導體裝置及其制造方法是由李奉镕;金泰勛;裴敏敬;禹明勛;黃斗熙設計研發完成，并于2020-06-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本豎直半導體裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：提供了一種豎直半導體裝置及其制造方法。所述豎直半導體裝置包括：共源半導體層，其位于襯底上；支撐層，其位于共源半導體層上；交替地堆疊在支撐層上的柵極和層間絕緣層；溝道圖案，其在與襯底的上表面垂直的第一方向上延伸，同時穿過柵極和支撐層，支撐層的面對溝道圖案的側壁相對于柵極的面對溝道圖案的側壁偏移；以及信息存儲層，其在柵極與溝道圖案之間延伸，信息存儲層至少延伸到支撐層的面對溝道圖案的側壁。
本發明授權豎直半導體裝置及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種豎直半導體裝置，包括： 共源半導體層，其位于襯底上； 支撐層，其位于所述共源半導體層上； 交替地堆疊在所述支撐層上的柵極和層間絕緣層； 溝道圖案，其在與所述襯底的上表面垂直的第一方向上延伸，同時穿過所述柵極和所述支撐層，所述支撐層的面對所述溝道圖案的側壁相對于所述柵極的面對所述溝道圖案的側壁偏移；以及 信息存儲層，其在所述柵極與所述溝道圖案之間延伸，所述信息存儲層至少延伸到所述支撐層的面對所述溝道圖案的側壁， 其中，所述溝道圖案包括在所述支撐層的橫向方向上朝向所述支撐層突出的溝道圖案延伸部，并且在所述第一方向上，所述共源半導體層的最上端的水平高度等于或低于所述溝道圖案延伸部的下表面的水平高度， 其中，所述溝道圖案延伸部在與所述第一方向垂直的第二方向上延伸，并且所述溝道圖案延伸部在所述第一方向上的厚度是位于所述柵極的側邊處的所述溝道圖案沿著所述第二方向的厚度的兩倍以上。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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