群聯電子股份有限公司陳秉正獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉群聯電子股份有限公司申請的專利數據寫入方法、存儲器控制電路單元以及存儲器存儲裝置獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114077515B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202010794976.6,技術領域涉及:G06F11/10;該發明授權數據寫入方法、存儲器控制電路單元以及存儲器存儲裝置是由陳秉正設計研發完成,并于2020-08-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本數據寫入方法、存儲器控制電路單元以及存儲器存儲裝置在說明書摘要公布了:本發明提供一種數據寫入方法、存儲器控制電路單元以及存儲器存儲裝置。所述方法包括:從主機系統接收第一數據及第二數據;根據所述第一數據產生第一陣列錯誤校正碼,并根據所述第二數據產生第二陣列錯誤校正碼;使用第一程序化模式將包括所述第一陣列錯誤校正碼的第一群組程序化至第一芯片致能群組中;以及使用第二程序化模式將包括所述第二陣列錯誤校正碼的第二群組程序化至所述第二芯片致能群組中。
本發明授權數據寫入方法、存儲器控制電路單元以及存儲器存儲裝置在權利要求書中公布了:1.一種數據寫入方法,用于可復寫式非易失性存儲器模塊,其中所述可復寫式非易失性存儲器模塊包括多個管理單元,所述多個管理單元包括多個芯片致能群組,所述多個芯片致能群組分別通過芯片致能腳位來致能,所述多個芯片致能群組包括第一芯片致能群組及第二芯片致能群組,且所述數據寫入方法包括: 從主機系統接收第一數據及第二數據; 根據所述第一數據產生第一陣列錯誤校正碼,并根據所述第二數據產生第二陣列錯誤校正碼; 使用第一模式并基于第一物理單元使用順序將包括所述第一陣列錯誤校正碼的數據寫入至所述第一芯片致能群組中;以及 使用第二模式并基于第二物理單元使用順序將包括所述第二陣列錯誤校正碼的數據寫入至所述第二芯片致能群組中,所述第二模式不同于所述第一模式,且所述第一物理單元使用順序與所述第二物理單元使用順序彼此反向, 其中所述第一陣列錯誤校正碼及所述第二陣列錯誤校正碼分別用以校正所述第一數據及所述第二數據。
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