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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所申請(qǐng)的專利一種等離子體輔助的表面親水或疏水改性方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114121598B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010904081.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)一種等離子體輔助的表面親水或疏水改性方法是由羅婷;任澤峰;曾維旺;楊學(xué)明設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-01向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種等離子體輔助的表面親水或疏水改性方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明屬于表面改性、半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種等離子體輔助的表面親水或疏水改性方法。該方法包括以下四個(gè)步驟：1基片的預(yù)清洗；2等離子體活化處理，增大表面自由能；3形成表面連接層；4表面連接層的表征。本發(fā)明提供的一種等離子體輔助的表面親水或疏水改性方法具有原料便宜易獲得，操作簡(jiǎn)便，環(huán)境友好，與現(xiàn)有半導(dǎo)體制造工藝相兼容等優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明授權(quán)一種等離子體輔助的表面親水或疏水改性方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種等離子體輔助的表面親水或疏水改性方法，其特征在于包含以下步驟： 步驟一，基片的預(yù)清洗：將基片清洗干凈； 步驟一中所述的基片為硅片，石英，云母，氧化鋁，氧化鈦，玻璃中的一種或二種以上； 步驟二，等離子體活化處理，增大基片的表面自由能； 對(duì)步驟一預(yù)清洗后的基片進(jìn)行等離子體活化處理，等離子體處理?xiàng)l件為直接處理模式，頻率40kHz~2.45GHz，功率1~1000W，處理腔內(nèi)氣壓1mTorr~2Torr，處理時(shí)間0.1~120min； 等離子體氣源為空氣或氧氣中的一種或二種； 步驟三，形成表面連接層； 將步驟二等離子體活化處理后的基片與表面改性劑接觸，表面改性劑在活化的基片表面解離，形成親水或疏水連接層； 所述步驟三中所述的表面改性劑包括水、C1-C12醇類中的一種或二種以上，于基片表面形成具有親水性或疏水性的連接層。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所，其通訊地址為：116023 遼寧省大連市沙河口區(qū)中山路457-41號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。