東京毅力科創株式會社千野光貴獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉東京毅力科創株式會社申請的專利蝕刻氧化硅膜的方法及等離子體處理裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112530799B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010919630.4，技術領域涉及：H01L21/3065；該發明授權蝕刻氧化硅膜的方法及等離子體處理裝置是由千野光貴;山田哲史;昆泰光設計研發完成，并于2020-09-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本蝕刻氧化硅膜的方法及等離子體處理裝置在說明書摘要公布了：在公開的方法中，對在其上方設置有掩模的基板的氧化硅膜進行蝕刻。該方法包括使用由包含碳氟化合物氣體、含碳而不含氟的氣體及含氧氣體的第1處理氣體形成的第1等離子體對基板執行第1等離子體處理的工序。該方法還包括使用由包含碳氟化合物氣體的第2處理氣體形成的第2等離子體對基板執行第2等離子體處理的工序。執行第1等離子體處理期間的基板的溫度低于執行第2等離子體處理期間的基板的溫度。
本發明授權蝕刻氧化硅膜的方法及等離子體處理裝置在權利要求書中公布了：1.一種蝕刻基板的氧化硅膜的方法，其中， 所述基板具有所述氧化硅膜及設置于該氧化硅膜上的掩模，該方法包括如下工序： a是使用由包含碳氟化合物氣體、含碳而不含氟的氣體及含氧氣體的第1處理氣體形成的第1等離子體對所述基板執行第1等離子體處理的工序，在執行該第1等離子體處理期間，將所述基板的溫度設定為第1溫度，該第1等離子體處理在所述掩模上沉積含碳物質且蝕刻所述氧化硅膜， b是在所述a之后，使用由包含碳氟化合物氣體的第2處理氣體形成的第2等離子體對所述基板執行第2等離子體處理的工序，在執行該第2等離子體處理期間，將所述基板的溫度設定為第2溫度，該第2等離子體處理在利用在所述a中形成的所述含碳物質保護所述掩模的狀態下蝕刻所述氧化硅膜， 所述第1溫度低于所述第2溫度。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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