英飛凌科技奧地利有限公司A·卡莫斯獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉英飛凌科技奧地利有限公司申請的專利窄半導體臺面器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112670333B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011102264.X，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權窄半導體臺面器件是由A·卡莫斯設計研發完成，并于2020-10-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本窄半導體臺面器件在說明書摘要公布了：公開了窄半導體臺面器件。在半導體本體中提供第一溝槽和第二溝槽。臺面分隔結構被提供在第一溝槽和第二溝槽之間并且包括非半導體材料。第一半導體臺面被提供在第一溝槽和臺面分隔結構的非半導體材料之間。第一半導體臺面包括發射極區、本體區和漂移區。第一溝槽和第二溝槽是通過掩模蝕刻技術形成的，具有最小溝槽分離距離，并且第一半導體臺面被提供為具有小于最小溝槽分離距離的橫向寬度。
本發明授權窄半導體臺面器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括： 半導體襯底，其包括主表面和與主表面相對的背表面； 第一溝槽和第二溝槽，其在橫向上彼此分離并且各自從主表面延伸到襯底中； 臺面分隔結構，其在橫向上在第一溝槽與第二溝槽之間，并且包括非半導體材料； 第一半導體臺面，其在第一溝槽和臺面分隔結構之間，第一半導體臺面包括： 與第一溝槽的第一側壁共同延伸的第一側壁； 與臺面分隔結構的非半導體材料直接相接的第二側壁； 源極區，其延伸到主表面并且具有第一導電類型； 本體區，其在源極區下方并且具有與第一導電類型相反的第二導電類型；以及 漂移區，其在本體區下方并且具有第一導電類型； 其中，由第一半導體臺面的橫向寬度除以第一半導體臺面的豎向深度所限定的第一半導體臺面的寬高比小于或等于0.2， 其中臺面分隔結構是通過在形成于第一溝槽和第二溝槽之間并且在橫向上與第一溝槽分離的至少一個中心溝槽中執行絕緣體生長處理而形成的，其中絕緣體生長處理利用絕緣體材料填充所述至少一個中心溝槽并且消耗中心溝槽和第一溝槽之間的半導體材料。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英飛凌科技奧地利有限公司，其通訊地址為：奧地利菲拉赫西門子大街2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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