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龍圖騰網(wǎng)獲悉意法半導(dǎo)體(魯塞)公司申請的專利用于制造集成電路的工藝以及對應(yīng)的集成電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112670233B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011102250.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/762；該發(fā)明授權(quán)用于制造集成電路的工藝以及對應(yīng)的集成電路是由F·朱利恩;A·馬扎基設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-10-15向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本用于制造集成電路的工藝以及對應(yīng)的集成電路在說明書摘要公布了：本公開的實(shí)施例涉及用于制造集成電路的工藝。在集成電路中不同深度的溝槽通過利用干法蝕刻的工藝而形成。第一停止層被形成在襯底的第一區(qū)域和第二區(qū)域之上。第二停止層僅被形成在第二區(qū)域中的第一停止層之上。圖案化的掩模限定了溝槽將被形成的位置。干法蝕刻使用掩模來在第一區(qū)域中于給定時間內(nèi)執(zhí)行穿過第一停止層并且然后進(jìn)入襯底的、下到第一深度的蝕刻，以形成第一溝槽。同時，蝕刻還在第二區(qū)域中執(zhí)行穿過第二停止層、并且還穿過第一停止層并且然后進(jìn)入襯底的、下到第二深度的蝕刻，以形成第二溝槽。第二深度比第一深度淺。

本發(fā)明授權(quán)用于制造集成電路的工藝以及對應(yīng)的集成電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于制造集成電路的工藝，包括： 在具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底中形成溝槽，其中，形成溝槽包括： 在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中，在所述半導(dǎo)體襯底的正面之上形成第一停止層； 在所述第二區(qū)域中，在所述第一停止層之上形成第二停止層；以及 在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中執(zhí)行由蝕刻掩模界定的干法蝕刻，其中，所述執(zhí)行所述干法蝕刻包括： 在所述第一區(qū)域中于給定時間內(nèi)蝕刻穿過所述第一停止層并且進(jìn)入所述半導(dǎo)體襯底、相對于所述正面下到第一深度，以形成第一溝槽；以及 在所述第二區(qū)域中于所述給定時間內(nèi)蝕刻穿過所述第二停止層、穿過所述第一停止層并且進(jìn)入所述半導(dǎo)體襯底、相對于所述正面下到第二深度，以形成第二溝槽； 其中，所述第二深度比所述第一深度淺； 執(zhí)行濕法蝕刻，所述濕法蝕刻從通過所述干法蝕刻而蝕刻的側(cè)面橫向去除所述第一停止層的一部分，其中執(zhí)行所述濕法蝕刻完全去除所述第二停止層； 所述第一停止層和所述第二停止層包括氮化硅，并且所述第二停止層包括處于所選擇的濃度的摻雜劑，使得執(zhí)行所述濕法蝕刻引起所述第二停止層的所述完全去除。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人意法半導(dǎo)體(魯塞)公司，其通訊地址為：法國魯塞；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。