加利福尼亞大學董事會S.甘德羅圖拉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉加利福尼亞大學董事會申請的專利在外延橫向過度生長區(qū)域的翼上制造用于垂直腔表面發(fā)射激光器的諧振腔和分布式布拉格反射器反射鏡的方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114830296B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202080087526.1，技術領域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權在外延橫向過度生長區(qū)域的翼上制造用于垂直腔表面發(fā)射激光器的諧振腔和分布式布拉格反射器反射鏡的方法是由S.甘德羅圖拉;神川剛;荒木正弘設計研發(fā)完成，并于2020-10-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本在外延橫向過度生長區(qū)域的翼上制造用于垂直腔表面發(fā)射激光器的諧振腔和分布式布拉格反射器反射鏡的方法在說明書摘要公布了：一種使用外延橫向過度生長ELO為諸如垂直腔表面發(fā)射激光器VCSEL的發(fā)光元件制造高質量且可制造的孔的方法。使用生長限制掩模在襯底上生長包括島狀III族氮化物半導體層的條，以及將島狀III族氮化物半導體層制造成橫跨條的最小長度的發(fā)光諧振腔。諧振腔的孔也沿著外延橫向過度生長的翼區(qū)域上的條的最小長度制造。分布式布拉格反射器DBR被制造為外延橫向過度生長的翼區(qū)域的底部和頂部上的諧振腔的反射鏡。
本發(fā)明授權在外延橫向過度生長區(qū)域的翼上制造用于垂直腔表面發(fā)射激光器的諧振腔和分布式布拉格反射器反射鏡的方法在權利要求書中公布了：1.一種方法，包括： 使用主襯底在生長限制掩模上形成一個或多個外延橫向過度生長ELOIII族氮化物層； 從所述主襯底移除所述ELOIII族氮化物層；以及 將用于垂直腔表面發(fā)射激光器VCSEL的諧振腔的一個或多個電介質分布式布拉格反射器DBR反射鏡放置在移除的ELOIII族氮化物層的背側上，位于所述被移除的ELOIII族氮化物層的翼區(qū)域處。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人加利福尼亞大學董事會，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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