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龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會社申請的專利包括垂直溝道結(jié)構(gòu)的集成電路和該集成電路的布局方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113540073B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110423684.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D89/10；該發(fā)明授權(quán)包括垂直溝道結(jié)構(gòu)的集成電路和該集成電路的布局方法是由白尚訓(xùn);孔貞順;都楨湖設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-04-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本包括垂直溝道結(jié)構(gòu)的集成電路和該集成電路的布局方法在說明書摘要公布了：提供了一種由一個或更多個半導(dǎo)體單元中的多個垂直場效應(yīng)晶體管VFET實(shí)現(xiàn)的集成電路以及集成電路的布局方法，其中第一單元的一對第二垂直溝道結(jié)構(gòu)和第二單元中的相鄰的一對第一垂直溝道結(jié)構(gòu)之間的距離與第一單元中的所述一對第一垂直溝道結(jié)構(gòu)和鄰近所述一對第一垂直溝道結(jié)構(gòu)布置的一對第二垂直溝道結(jié)構(gòu)之間的距離相同，第一單元的所述一對第二垂直溝道結(jié)構(gòu)和第二單元中的所述相鄰的一對第一垂直溝道結(jié)構(gòu)均面對第一單元和第二單元之間的單元邊界。

本發(fā)明授權(quán)包括垂直溝道結(jié)構(gòu)的集成電路和該集成電路的布局方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種集成電路，包括在第一方向上彼此相鄰的第一單元和第二單元，其中，所述第一單元包括： 第一下源極漏極區(qū)和第二下源極漏極區(qū)，在所述第一方向上在襯底上延伸并被布置為在第二方向上彼此間隔開； 一對第一垂直溝道結(jié)構(gòu)，被放置為在所述第二方向上與所述第一下源極漏極區(qū)和所述第二下源極漏極區(qū)交叉； 一對第二垂直溝道結(jié)構(gòu)，被放置為在所述第二方向上與所述第一下源極漏極區(qū)和所述第二下源極漏極區(qū)交叉，并被布置為在所述第一方向上與所述一對第一垂直溝道結(jié)構(gòu)間隔開； 一對第一上源極漏極區(qū)和一對第二上源極漏極區(qū)，分別放置在所述一對第一垂直溝道結(jié)構(gòu)和所述一對第二垂直溝道結(jié)構(gòu)上； 第一柵電極和第二柵電極，分別圍繞所述一對第一垂直溝道結(jié)構(gòu)的側(cè)表面，以及第三柵電極和第四柵電極，分別圍繞所述一對第二垂直溝道結(jié)構(gòu)的側(cè)表面； 連接金屬層，連接到所述第一柵電極、所述第二柵電極、所述第三柵電極和所述第四柵電極； 輸入布線，通過柵極通路連接到所述第一柵電極、所述第二柵電極、所述第三柵電極和所述第四柵電極中的至少一個柵電極，以接收輸入信號；以及 輸出布線，通過上源極漏極通路連接到所述一對第二上源極漏極區(qū)， 其中，在所述第一方向上，所述第一單元的所述一對第二垂直溝道結(jié)構(gòu)和所述第二單元中的相鄰的一對第一垂直溝道結(jié)構(gòu)之間的距離與所述一對第一垂直溝道結(jié)構(gòu)和所述一對第二垂直溝道之間的距離相同，所述第一單元的所述一對第二垂直溝道結(jié)構(gòu)和所述第二單元中的所述相鄰的一對第一垂直溝道結(jié)構(gòu)面對所述第一單元和所述第二單元之間的單元邊界。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。