長鑫存儲技術有限公司趙文禮獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及半導體結構的制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115642156B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110813115.2，技術領域涉及：H10D84/85；該發明授權半導體結構及半導體結構的制作方法是由趙文禮;白杰設計研發完成，并于2021-07-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及半導體結構的制作方法在說明書摘要公布了：本公開涉及半導體技術領域，提出了一種半導體結構及半導體結構的制作方法。半導體結構包括襯底、NMOS晶體管以及PMOS晶體管，NMOS晶體管包括依次疊置的第一電介質層、第一功函數層以及第一導電層，PMOS晶體管包括依次疊置的第二電介質層、第二功函數層以及第二導電層。在半導體結構的制作過程中，會導致第一功函數層和第二功函數層內的金屬元素擴散，可能會影響半導體結構閾值電壓的調節，通過在第一功函數層朝向第二功函數層的一側設置有第一側壁隔離層，和或，第二功函數層朝向第一功函數層的一側設置有第二側壁隔離層，可以阻止金屬元素的交叉擴散，以此避免半導體結構閾值電壓難以被調節的情況，從而改善半導體結構的性能。
本發明授權半導體結構及半導體結構的制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括襯底以及位于所述襯底上的NMOS晶體管和PMOS晶體管； 所述NMOS晶體管包括： 第一電介質層，所述第一電介質層位于所述襯底上； 第一功函數層，所述第一功函數層位于所述第一電介質層上； 第一導電層，所述第一導電層位于所述第一功函數層上； 所述PMOS晶體管包括： 第二電介質層，所述第二電介質層位于所述襯底上； 第二功函數層，所述第二功函數層位于所述第二電介質層上； 第二導電層，所述第二導電層位于所述第二功函數層上； 其中，所述第一功函數層朝向所述第二功函數層的一側設置有第一側壁隔離層，所述第二功函數層朝向所述第一功函數層的一側設置有第二側壁隔離層，所述第一側壁隔離層位于所述第二側壁隔離層的下方。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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