深圳市尚鼎芯科技有限公司劉道國獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳市尚鼎芯科技有限公司申請的專利一種增加晶圓強度的晶圓制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115206788B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210822503.1，技術領域涉及：H01L21/265；該發明授權一種增加晶圓強度的晶圓制備方法是由劉道國設計研發完成，并于2022-07-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種增加晶圓強度的晶圓制備方法在說明書摘要公布了：本發明實施例提供一種增加晶圓強度的晶圓制備方法，包括：在完成晶圓研磨后，對晶圓背面進行離子束注入；對完成離子束注入的晶圓背面進行高溫退火；在晶圓正面上制備多個凸起的金屬塊，多個金屬塊以預設的橫向間隔和預設的縱向間隔均布；對晶圓進行切割；對切割后的晶圓進行清理。本技術方案中，通過引入了離子束注入工藝和高溫退火工藝，并在在晶圓金屬層上設置了聚亞酰胺層，可有效提高晶圓強度，使得晶圓在減薄工藝的后續制備過程中不易開裂。
本發明授權一種增加晶圓強度的晶圓制備方法在權利要求書中公布了：1.一種增加晶圓強度的晶圓制備方法，其特征在于，包括： 在完成晶圓研磨后，從晶圓背面對所述晶圓進行離子束注入，所述晶圓背面是指晶圓上未經研磨的平面； 對完成離子束注入的所述晶圓進行高溫退火； 在晶圓正面上制備多個凸起的金屬塊，并使所述多個金屬塊以預設的橫向間隔和預設的縱向間隔均布，所述晶圓正面是指晶圓上經過研磨的平面； 對所述晶圓進行切割； 對切割后的所述晶圓進行清理； 其中，所述對所述晶圓進行離子束注入，具體包括： 選用硼離子和磷離子作為注入離子； 將所述注入離子的溫度控制在600～700℃進行離子束注入； 所述高溫退火的溫度范圍為300℃～700℃；所述高溫退火的時間范圍為0.5h～3h； 在所述對完成離子束注入的所述晶圓進行高溫退火之后，還包括：在所述晶圓背面上制備晶圓金屬層； 在所述晶圓金屬層上制備第一聚酰亞胺層； 所述第一聚酰亞胺層的厚度范圍為5～10μm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市尚鼎芯科技有限公司，其通訊地址為：518055 廣東省深圳市南山區西麗街道西麗社區留新四街萬科云城三期C區八棟A座3301房3302房；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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