長江存儲科技有限責任公司羅杰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長江存儲科技有限責任公司申請的專利半導體結構的制作方法和半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115132583B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210858366.7，技術領域涉及：H01L21/311；該發明授權半導體結構的制作方法和半導體結構是由羅杰;劉立芃;曾最新設計研發完成，并于2022-07-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構的制作方法和半導體結構在說明書摘要公布了：本申請提供了一種半導體結構的制作方法和半導體結構。該方法包括：提供基底，基底包括依次疊置的襯底、堆疊結構以及介質層，基底還包括多個溝道結構，溝道結構位于堆疊結構中并延伸至介質層中；去除部分介質層，在介質層中形成凹槽，凹槽使得對應的溝道結構的部分露出，凹槽的至少一個側壁具有臺階結構，臺階結構至少包括一個臺階。該方法將凹槽的至少一個側壁形成臺階結構，臺階結構至少包括一個臺階，不同臺階流進凹槽的光刻膠的能量不一樣，越低的臺階流進凹槽的光刻膠能量越少，因此，使得在凹槽附近產生的波紋減少，從而減輕了失色現象，進而解決了現有技術中對準標記的凹槽附近產生的波紋較多導致旋涂光刻膠時產生失色現象的問題。
本發明授權半導體結構的制作方法和半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括依次疊置的襯底、堆疊結構以及介質層，所述基底還包括多個溝道結構，所述溝道結構位于所述堆疊結構中并延伸至所述介質層中； 去除部分所述介質層，在所述介質層中形成凹槽，所述凹槽使得對應的所述溝道結構的部分露出，所述部分露出的所述溝道結構作為光刻對準標記，所述凹槽的至少一個側壁具有臺階結構，所述臺階結構至少包括一個臺階，以使不同所述臺階流進所述凹槽的光刻膠的能量不一樣，越低的所述臺階流進所述凹槽的光刻膠能量越少， 所述堆疊結構為依次交疊設置的絕緣介質層和犧牲層，所述絕緣介質層至少包括二氧化硅，所述犧牲層至少包括氮化硅，所述溝道結構包括多個沿第一方向上排列的溝道結構，所述第一方向為垂直于所述襯底的厚度的方向。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長江存儲科技有限責任公司，其通訊地址為：430074 湖北省武漢市東湖新技術開發區未來三路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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