天津巴莫科技有限責任公司李琪獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉天津巴莫科技有限責任公司申請的專利高電壓單晶三元正極材料、其制備方法及其應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115172719B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210919392.6，技術領域涉及：H01M4/36；該發明授權高電壓單晶三元正極材料、其制備方法及其應用是由李琪;范亞敏;呂菲;陳德賢;徐寧;陳要忠設計研發完成，并于2022-08-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本高電壓單晶三元正極材料、其制備方法及其應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種高電壓單晶三元材料、其制備方法及其應用，通過借助低熔點助熔劑降低晶界熔合能，在低溫下進行預燒得到定向微晶核；定向微晶核與結構穩定劑在高溫下反應實現晶核的定向生長；通過對活性較低的大粒度三元材料前驅體在分散劑和溶劑輔助下球磨成高活性前驅體，增加了前驅體與鋰鹽的反應活性位點；本發明制得的單晶三元正極材料具有較好的粒度均一性，過渡金屬元素在晶粒內分布的較為均勻，并實現了晶粒的定向生長，同時具有較高的壓實密度，在較高的碾壓強度下，極片能夠保持包覆的完整性，避免出現晶界破碎，材料的容量、高低溫循環及倍率性能明顯優于傳統單晶三元正極材料。本發明制備方法簡單，設備通用性強，易于進行規模化生產。
本發明授權高電壓單晶三元正極材料、其制備方法及其應用在權利要求書中公布了：1.一種高電壓單晶三元正極材料的制備方法，其特征在于，其包括以下步驟： S1：將高活性前驅體Ⅱ、鋰源、助熔劑混合，進行一次燒結，得到產物Ⅰ；所述助熔劑包括缺電子型化合物，所述缺電子型化合物選自氧化硼、硼酸、氯化硼、氟化硼中的一種或多種； S2：將產物Ⅰ與結構穩定劑混合，進行二次燒結，得到產物Ⅱ；所述結構穩定劑具有陰離子和陽離子，陰離子選自磷酸根、偏磷酸根、氟離子中的一種；陽離子選自Al、Mg、Zr、Ti、Ni、Mn、B、Y、Zn、Mo、Ru、Ta、W、Re、Sn、Ge或Ga陽離子中的一種或多種； S3：將產物Ⅱ與表面包覆劑混合，進行三次燒結，得到高電壓單晶三元正極材料； 所述高活性前驅體Ⅱ為三元材料前驅體Ⅰ、溶劑、分散劑混合后球磨所得。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人天津巴莫科技有限責任公司，其通訊地址為：300384 天津市濱海新區高新區海泰大道8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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