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龍圖騰網獲悉中晟鯤鵬光電半導體有限公司;浙江同芯祺科技有限公司申請的專利一種化合物半導體晶圓的制程改進加工工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115424971B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210955553.7，技術領域涉及：H01L21/683；該發明授權一種化合物半導體晶圓的制程改進加工工藝是由嚴立巍;馬晴;劉文杰;林春慧設計研發完成，并于2022-08-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種化合物半導體晶圓的制程改進加工工藝在說明書摘要公布了：本發明涉及晶圓加工技術領域，公開一種化合物半導體晶圓的制程改進加工工藝，所述加工工藝包括以下步驟：S1、完成晶圓前段晶體工藝；S2、將晶圓與玻璃載板臨時鍵合；S3、對背面進行減薄并制作背面元件工藝；S4、將背面放在第一載盤上并去除玻璃載板；S5、完成沉積物對晶圓邊緣的固定并進行高溫回火工藝激活離子和正面工藝；S6、將晶圓正面鍵合到第二載盤上，并去除正面的第一載盤；S7、對晶圓背面繼續進行制程工藝；S8、進行切割工藝；S9、將切割好的晶粒貼附在切割?？蛏希コ谌d盤，完成晶圓的加工。本發明采用四次鍵合技術，通過臨時鍵合的玻璃載板后，采用正面與背面制程同步進行，簡化操作步驟，操作難度低。

本發明授權一種化合物半導體晶圓的制程改進加工工藝在權利要求書中公布了：1.一種化合物半導體晶圓的制程改進加工工藝，其特征在于，所述加工工藝包括以下步驟： S1、完成小尺寸的化合物半導體基板（1）前段晶體工藝，包含Gate、氧化層和柵極、離子植入和回火工藝； S2、將化合物半導體基板（1）正面沉積ILD層（11）后與玻璃載板（2）臨時鍵合； S3、翻轉玻璃載板（2），對化合物半導體基板（1）的背面進行研磨蝕刻減薄，制作背面元件工藝； S3中背面元件工藝包括涂布光阻、曝光、顯影、離子植入、去除光阻； S4、翻轉化合物半導體基板（1），將背面放在第一載盤（3）上，再去除玻璃載板（2）； S5、在化合物半導體基板（1）正面利用CVD工藝填充沉積物（4），對化合物半導體基板（1）上的沉積物（4）進行部分去除，再進行高溫回火工藝激活離子，再進行正面工藝； S6、對S5中化合物半導體基板（1）正面，鍵合到第二載盤（5）上，翻轉化合物半導體基板（1）后，去除背面的第一載盤（3）； S7、對晶圓背面繼續進行制程工藝； 所述S7中制程工藝包括：先在化合物半導體基板（1）上涂布聚酰亞胺（7），然后去除化合物半導體基板（1）上方的聚酰亞胺（7），至晶圓上方漏出，留下邊緣的聚酰亞胺（7）對晶圓進行固定，再對化合物半導體基板（1）背面進行金屬沉積、化鍍電鍍工藝，并完成金屬與化合物半導體的合金形成加熱工藝； S8、進行切割工藝，形成晶粒； 所述切割工藝操作如下： 將晶圓背面貼附在切割模框（6）上，翻轉并去除正面的第二載盤（5），并將空隙處的金屬一并掀起，然后使用鉆石刀輪、激光或電漿蝕刻切割化合物半導體晶圓，形成晶粒，確?；衔锇雽w基板（1）的邊緣沒有任何金屬與空隙區域的金屬有連接； S9、完成化合物半導體基板（1）的加工，進行后續的封裝和測試支撐； 所述第一載盤（3）、第二載盤（5）均為耐高溫透明的載盤。

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