TCL華星光電技術有限公司羅傳寶獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉TCL華星光電技術有限公司申請的專利陣列基板及其制作方法、顯示面板獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115483227B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210980926.6，技術領域涉及：H10D86/60；該發明授權陣列基板及其制作方法、顯示面板是由羅傳寶設計研發完成，并于2022-08-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本陣列基板及其制作方法、顯示面板在說明書摘要公布了：本發明提供一種陣列基板及其制作方法、顯示面板，該陣列基板包括至少一個低溫多晶硅薄膜晶體管和至少一個氧化物薄膜晶體管；低溫多晶硅薄膜晶體管包括有源層和第一柵極，氧化物薄膜晶體管包括氧化物半導體層、第二源極以及第二漏極；其中，第一柵極與第二源極以及第二漏極同層設置，且有源層與氧化物半導體層異層設置。本發明通過將低溫多晶硅薄膜晶體管的柵極與氧化物薄膜晶體管的源極以及漏極采用同一道光罩制作，從而簡化制作工藝。
本發明授權陣列基板及其制作方法、顯示面板在權利要求書中公布了：1.一種陣列基板，其特征在于，包括基底、設置在所述基底上的至少一個低溫多晶硅薄膜晶體管和至少一個氧化物薄膜晶體管； 所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括有源層和第一柵極，所述氧化物薄膜晶體管包括氧化物半導體層、第二柵極、第二源極以及第二漏極； 其中，所述第一柵極、第二源極以及第二漏極同層設置，且所述有源層與所述氧化物半導體層異層設置，所述氧化物半導體層包括對應所述第二柵極的溝道區以及位于所述溝道區兩側的導體區，所述導體區在所述基底上的正投影覆蓋所述第一柵極在所述基底上的正投影，其中，所述導體區與所述第一柵極之間形成電容。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人TCL華星光電技術有限公司，其通訊地址為：518132 廣東省深圳市光明新區塘明大道9-2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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