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龍圖騰網獲悉銳立平芯微電子(廣州)有限責任公司;廣東省大灣區集成電路與系統應用研究院申請的專利芯片金屬互連線的制作方法及氧化層去除方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115440583B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211310053.4，技術領域涉及：H01L21/311；該發明授權芯片金屬互連線的制作方法及氧化層去除方法是由李其魯;劉海濤;丁文波;葉甜春;陳少民;李彬鴻設計研發完成，并于2022-10-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本芯片金屬互連線的制作方法及氧化層去除方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體技術領域,公開了芯片金屬互連線的制作方法及氧化層去除方法，在實際使用時，本發明通過在一個物理氣相沉積腔體內完成前層金屬線表面的氧化層去除和后續的沉積工藝制作，不用額外增加一個預清潔蝕刻腔體來蝕刻掉氧化層，減少了芯片金屬互聯線制作時所需要的腔體數量和維護成本，而且由于不用因去除前層金屬線表面的氧化層將芯片在腔體之間周轉，增加了芯片產出。

本發明授權芯片金屬互連線的制作方法及氧化層去除方法在權利要求書中公布了：1.芯片金屬互連線的制作方法，其特征在于，包括以下步驟： S1：提供物理氣相沉積腔體，所述物理氣相沉積腔體內設有靜電吸盤、靶材、射頻磁控裝置和直流電源裝置，所述靶材在所述靜電吸盤上方； S2：將制作完前層金屬線的芯片放到物理氣相沉積腔體內的靜電吸盤上； S3：在物理氣相沉積腔體內使用離子轟擊芯片表面來去除所述前層金屬線表面的氧化層；在步驟S3中向物理氣相沉積腔體內通入惰性氣體，調整所述射頻磁控裝置的射頻功率使惰性氣體產生離子，給靜電吸盤輸入交流電源產生自偏壓，所述離子在所述自偏壓的作用下轟擊芯片表面 S4：在芯片表面沉積第一金屬層；在步驟S4中，通過所述直流電源裝置給靶材通入直流電源使其產生負偏壓，調整射頻磁控裝置的射頻功率使惰性氣體產生離子，離子在靶材負偏壓作用下轟向靶材表面，靶材因受離子轟擊產生的靶材原子落到芯片表面形成第一金屬層； S5：使用離子轟擊第一金屬層的表面來消除第一金屬層沉積時產生的懸突；在步驟S5中，停止向靶材通入直流電源，給靜電吸盤輸入交流電源使靜電吸盤產生自偏壓，調整射頻磁控裝置的射頻功率使惰性氣體產生離子，惰性氣體產生的離子在自偏壓的作用下轟向第一金屬層的表面； S6：在第一金屬層的表面沉積第二金屬層；在步驟S6中，通過所述直流電源裝置給靶材通入直流電源使其產生負偏壓，調整射頻磁控裝置的射頻功率使惰性氣體產生離子，離子在靶材負偏壓作用下轟向靶材表面，靶材因受離子轟擊產生的靶材原子落到芯片表面形成第二金屬層； 步驟S3中調整射頻磁控裝置的射頻功率至300W～600W之間，所述交流電源的功率在150W～300W之間，步驟S3的持續時間在2S～5S之間。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人銳立平芯微電子(廣州)有限責任公司;廣東省大灣區集成電路與系統應用研究院，其通訊地址為：510000 廣東省廣州市黃埔區開發大道348號建設大廈710室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。