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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國(guó)兵器裝備集團(tuán)西南技術(shù)工程研究所申請(qǐng)的專利一種基于磁場(chǎng)探測(cè)技術(shù)的涂層下金屬基體損傷評(píng)估方法及系統(tǒng)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115901935B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202211379300.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01N27/90；該發(fā)明授權(quán)一種基于磁場(chǎng)探測(cè)技術(shù)的涂層下金屬基體損傷評(píng)估方法及系統(tǒng)是由王成章;楊小奎;竇世濤;舒暢;朱玉琴;王曉輝;封先河;胡廣洋;趙方超;黃波;李佳蒙設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-11-04向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種基于磁場(chǎng)探測(cè)技術(shù)的涂層下金屬基體損傷評(píng)估方法及系統(tǒng)在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種基于磁場(chǎng)探測(cè)技術(shù)的涂層下金屬基體損傷評(píng)估方法及系統(tǒng)，利用渦流激勵(lì)和磁場(chǎng)探測(cè)系統(tǒng)獲取涂層下金屬基體的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布圖像，根據(jù)所得磁場(chǎng)強(qiáng)度分布圖像特征確定涂層下金屬基體的損傷程度，評(píng)估涂層下金屬基體損傷程度并進(jìn)行分級(jí)，并給出評(píng)估結(jié)果；渦流激勵(lì)磁場(chǎng)系統(tǒng)包括多頻渦流激勵(lì)信號(hào)發(fā)生器、激勵(lì)線圈、磁場(chǎng)數(shù)據(jù)采集器、線性陣列磁場(chǎng)檢測(cè)傳感器和數(shù)據(jù)處理模塊與顯示器，線性陣列磁場(chǎng)檢測(cè)傳感器固定連接激勵(lì)線圈并位于激勵(lì)線圈內(nèi)；采用本發(fā)明的方案，不僅能夠定量地給出涂層下金屬基體的損傷程度，而且能夠給出涂層下金屬基體各深度區(qū)間的損傷評(píng)級(jí)，提高了涂層下金屬基體損傷評(píng)估的準(zhǔn)確性，具有無損、高效、便捷的優(yōu)勢(shì)。

本發(fā)明授權(quán)一種基于磁場(chǎng)探測(cè)技術(shù)的涂層下金屬基體損傷評(píng)估方法及系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于磁場(chǎng)探測(cè)技術(shù)的涂層下金屬基體損傷評(píng)估方法，其特征在于，步驟包括： 步驟1，利用渦流激勵(lì)磁場(chǎng)系統(tǒng)獲取涂層下金屬基體不同層深處的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布圖像，根據(jù)所得磁場(chǎng)強(qiáng)度分布圖像特征確定涂層下金屬基體的損傷程度； 步驟2，利用渦流激勵(lì)磁場(chǎng)系統(tǒng)獲取涂層下金屬基體的橫向損傷圖像，根據(jù)所得橫向損傷圖像上的輪廓特征確定損傷區(qū)域坐標(biāo)和橫向損傷形態(tài)； 步驟3，結(jié)合所得損傷深度區(qū)間和橫向損傷形態(tài)確定損傷類型及對(duì)應(yīng)的數(shù)量，損傷類型包括裂紋、深腐蝕坑、淺腐蝕坑； 步驟4，根據(jù)式（Ⅰ）評(píng)估涂層下金屬基體損傷程度，根據(jù)所得數(shù)值S進(jìn)行分級(jí)，并給出評(píng)估結(jié)果，分為損傷一般S2、較嚴(yán)重2≤S4、嚴(yán)重4≤S6、非常嚴(yán)重S≥6四個(gè)等級(jí)； S=0.5m+0.35n+0.15p（Ⅰ） 式中，m表示裂紋數(shù)量，n表示深腐蝕坑數(shù)量，p表示淺腐蝕坑數(shù)量； 所述的渦流激勵(lì)磁場(chǎng)系統(tǒng)包括多頻渦流激勵(lì)信號(hào)發(fā)生器、激勵(lì)線圈、磁場(chǎng)數(shù)據(jù)采集器、線性陣列磁場(chǎng)檢測(cè)傳感器和數(shù)據(jù)處理模塊與顯示器，線性陣列磁場(chǎng)檢測(cè)傳感器固定連接激勵(lì)線圈并位于激勵(lì)線圈內(nèi)；其中，多頻渦流激勵(lì)信號(hào)發(fā)生器用于產(chǎn)生多頻激勵(lì)信號(hào)并在被測(cè)部位形成磁場(chǎng)，且同步產(chǎn)生一個(gè)頻率標(biāo)記信號(hào)，并將該標(biāo)記信號(hào)同步傳輸給磁場(chǎng)數(shù)據(jù)采集器；線性陣列磁場(chǎng)檢測(cè)傳感器用于檢測(cè)不同激勵(lì)頻率下的磁場(chǎng)數(shù)據(jù)，并對(duì)應(yīng)記錄和提取不同激勵(lì)頻率下的磁場(chǎng)數(shù)據(jù)，并將該磁場(chǎng)數(shù)據(jù)傳輸給磁場(chǎng)數(shù)據(jù)采集器；磁場(chǎng)數(shù)據(jù)采集器用于獲取磁場(chǎng)數(shù)據(jù)、頻率標(biāo)記信號(hào)，將磁場(chǎng)數(shù)據(jù)與頻率標(biāo)記信號(hào)進(jìn)行匹配、存儲(chǔ)，并反饋給數(shù)據(jù)處理模塊；數(shù)據(jù)處理模塊用于將讀取的磁場(chǎng)數(shù)據(jù)生成磁場(chǎng)數(shù)據(jù)圖并輸出；所述的多頻激勵(lì)信號(hào)包括在第一毫秒級(jí)時(shí)段T1內(nèi)發(fā)出的第一檔頻率、在第二毫秒級(jí)時(shí)段T2內(nèi)發(fā)出的第二檔頻率…在第K毫秒級(jí)時(shí)段TK內(nèi)發(fā)出的第K檔頻率，所有毫秒級(jí)時(shí)段的總時(shí)長(zhǎng)控制在一秒內(nèi)；第一檔頻率對(duì)應(yīng)的檢測(cè)厚度區(qū)間為0-h1mm，第二檔頻率對(duì)應(yīng)的檢測(cè)厚度區(qū)間為0-h2mm，第K檔頻率對(duì)應(yīng)的檢測(cè)厚度區(qū)間為0-hKmm，0mm所在位置表示檢測(cè)基準(zhǔn)面，h1mm所在位置表示檢測(cè)基準(zhǔn)面往下深度為hKmm的位置，h1＜h2＜hK。

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