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龍圖騰網(wǎng)獲悉華南理工大學(xué)申請的專利一種利用SF₆廢氣等離子體刻蝕SiO₂的系統(tǒng)與方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116059806B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202211620535.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：B01D53/32；該發(fā)明授權(quán)一種利用SF₆廢氣等離子體刻蝕SiO₂的系統(tǒng)與方法是由崔兆侖;郝艷捧;陽林;李立浧設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-12-15向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種利用SF₆廢氣等離子體刻蝕SiO₂的系統(tǒng)與方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種利用SF6廢氣等離子體刻蝕SiO2的系統(tǒng)與方法。所述系統(tǒng)中的洗氣室、稀釋氣體壓縮室通過流量計(jì)和電磁閥與混氣室相連，并與放電室相連，放電室分別又與S沉積室、緩沖氣室連接，緩沖氣室與與吸收室、收集氣瓶SiF4及Ar稀釋氣體壓縮室相連接。應(yīng)用本發(fā)明可以首先對SF6廢氣進(jìn)行初步洗滌，之后根據(jù)降解需求形成SF6H2稀釋氣體混合氣體，在放電室中發(fā)生還原性降解反應(yīng)并與SiO2發(fā)生刻蝕，生成S單質(zhì)與SiF4氣體，經(jīng)緩沖氣室實(shí)現(xiàn)雜質(zhì)氣體、SiF4、Ar的分離，實(shí)現(xiàn)S單質(zhì)、SiF4高純氣體收集，以及稀釋氣體載氣的循環(huán)利用，確保SF6廢氣高效、不可逆降解過程實(shí)現(xiàn)以及F元素分離后的二次利用。

本發(fā)明授權(quán)一種利用SF₆廢氣等離子體刻蝕SiO₂的系統(tǒng)與方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種利用SF6廢氣等離子體刻蝕SiO2的系統(tǒng)，其特征在于，包括洗氣室（1）、混氣室（4）、放電室（7）、緩沖氣室、收集氣瓶（10）、S沉積室（11）和吸收室（12）， 洗氣室（1）、混氣室（4）、放電室（7）、緩沖氣室和收集氣瓶（10）依次連通，且往混氣室（4）內(nèi)通入還原氣體H2和稀釋氣體，且在洗氣室（1）和混氣室（4）之間的管道上、混氣室（4）和放電室（7）之間的管道上均設(shè)置有流量計(jì)和電磁閥，其中，洗氣室（1）用于對SF6廢氣進(jìn)行預(yù)處理，放電室（7）內(nèi)設(shè)置有接地極、高壓驅(qū)動(dòng)電源與低溫等離子體反應(yīng)器，且低溫等離子體反應(yīng)器中填充有SiO2顆粒，通過低溫等離子體驅(qū)動(dòng)SF6H2放電分解并實(shí)現(xiàn)SiO2刻蝕過程，緩沖氣室用于對稀釋氣體、SiF4以及其余雜質(zhì)氣體進(jìn)行分離； S沉積室（11）與放電室（7）連接，以沉積放電室（7）中SF6H2還原性降解產(chǎn)生的S單質(zhì)固體粉末； 吸收室（12）與緩沖氣室連接，吸收室（12）用于處理放電處理產(chǎn)生的雜質(zhì)氣體； 還包括稀釋氣體壓縮室（13），用于往混氣室（4）內(nèi)通入稀釋氣體，其中，稀釋氣體壓縮室（13）的兩端分別連通混氣室（4）和緩沖氣室以實(shí)現(xiàn)稀釋氣體的循環(huán)使用； 緩沖氣室內(nèi)設(shè)置依次連通的第一精餾塔（8）和第二精餾塔（9），第一精餾塔（8）的輸入端與放電室（7）連通，輸出端與稀釋氣體壓縮室（13）和第二精餾塔（9）均連通，第二精餾塔（9）的輸出端與收集氣瓶（10）和吸收室（12）均連通。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人華南理工大學(xué)，其通訊地址為：510640 廣東省廣州市天河區(qū)五山路381號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。