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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所申請的專利等離激元光鑷基底以及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116203661B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310212659.2，技術領域涉及：G02B5/00；該發明授權等離激元光鑷基底以及制備方法是由黃若楊;毛海央;周娜設計研發完成，并于2023-02-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本等離激元光鑷基底以及制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種光鑷基底，尤其是一種等離激元光鑷基底以及制備方法。按照本發明提供的技術方案，所述等離激元光鑷基底，包括等離激元單元以及用于對所述等離激元單元局部區域溫控的溫度控制單元，其中，等離激元單元與溫度控制單元基于MEMS工藝制備集成，對等離激元單元內的光斑照射區域，配置溫度控制單元對所述光斑照射區域進行溫控，以在等離激元單元述光斑照射區域與所述光斑照射區域的周圍環境產生溫度梯度。本發明基于珀耳帖效應的溫度控制，大幅度提升光鑷的捕獲效率并能有效控制熱泳運動，同時能適用于微米級以上物質的捕獲，與現有MEMS工藝兼容。

本發明授權等離激元光鑷基底以及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種等離激元光鑷基底，其特征是，包括等離激元單元以及用于對所述等離激元單元局部區域溫控的溫度控制單元，其中， 等離激元單元與溫度控制單元基于MEMS工藝制備集成，對等離激元單元內的光斑照射區域，配置溫度控制單元對所述光斑照射區域進行溫控，以在等離激元單元述光斑照射區域與所述光斑照射區域的周圍環境產生溫度梯度； 溫度控制單元基于珀耳帖效應的溫控方式對等離激元單元進行局部區域溫控； 溫度控制單元包括一個或多個溫度控制基體，其中，溫度控制單元內包括多個溫度控制基體時，多個溫度控制基體呈陣列分布； 利用一溫度控制基體對等離激元單元內與所述溫度控制基體正對應的區域溫控； 溫度控制基體，包括溫控絕緣支撐層、制備于所述溫控絕緣支撐層上的第一珀耳帖效應溫控單元以及用于支撐等離激元單元的第一珀耳帖效應單元保護導熱層，其中， 第一珀耳帖效應溫控單元位于第一珀耳帖效應單元保護導熱層內； 第一珀耳貼效應溫控單元包括若干交替排布的第一摻雜多晶硅體以及第二摻雜多晶硅體，第一摻雜多晶硅體與第二摻雜多晶硅體利用金屬連接導體串聯成一體； 第一摻雜多晶硅體的塞貝克系數與第二摻雜多晶硅體的塞貝克系數相同或不同。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。