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龍圖騰網獲悉西安電子科技大學申請的專利砷化硼共振隧穿二極管及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116314350B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310226845.1，技術領域涉及：H10D8/70；該發明授權砷化硼共振隧穿二極管及其制作方法是由薛軍帥;吳冠霖;李澤輝;袁金淵;孫文博;張進成;郝躍設計研發完成，并于2023-03-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本砷化硼共振隧穿二極管及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種砷化硼共振隧穿二極管，主要解決現有氮化鎵共振隧穿二極管能帶結構不對稱、無雙向對稱微分負阻特性、峰值電流及峰谷電流比低的問題。該器件包括襯底、外延層、發射極歐姆接觸層、第一隔離層、第一勢壘層、量子阱層、第二勢壘層、第二隔離層、集電極歐姆接觸層和集電極；發射極歐姆接觸層上設置環形發射極。其中，第一和第二勢壘層采用厚度相同的砷化硼材料，發射極與集電極歐姆接觸區采用組分與厚度均相同的n型硼鎵銦砷材料，第一和第二隔離層及量子阱層采用組分相同的硼鎵銦砷材料，襯底采用高熱導率砷化硼單晶。本發明器件無自發極化效應并有雙向對稱微分負阻效應，峰值電流與峰谷電流比高，可用于太赫茲波源和數字邏輯電路。

本發明授權砷化硼共振隧穿二極管及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種砷化硼共振隧穿二極管，自下而上包括襯底1、外延層2、發射極歐姆接觸層3、第一隔離層4、第一勢壘層5、量子阱層6、第二勢壘層7、第二隔離層8、集電極歐姆接觸層9和集電極電極10，該第一隔離層4的兩側設置有環形發射極電極11，該外延層2至集電極電極10的外部包裹有鈍化層12，其特征在于： 所述襯底1采用高熱導率的砷化硼單晶材料，以提高器件散熱性能； 所述外延層2采用BAs材料； 所述第一勢壘層5和第二勢壘層7采用厚度相同的BAs材料； 所述量子阱層6采用BxGayInzAs材料，其中0x1、0≤y1、0≤z1，且滿足x+y+z＝1； 所述第一隔離層4和第二隔離層8采用組分一致、厚度相同的BxGayInzAs，其中0x1、0≤y1、0≤z1，且滿足x+y+z＝1； 所述發射極歐姆接觸層3和集電極歐姆接觸層9采用組分一致、厚度相同、摻雜濃度均為1×1019cm-3-5×1020cm-3之間的n型BxGayInzAs，其中0x1、0≤y1、0≤z1，且滿足x+y+z＝1。

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