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龍圖騰網獲悉深圳大學申請的專利立體氮化鎵基PN二極管及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118263246B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410193610.1，技術領域涉及：H10D84/00；該發明授權立體氮化鎵基PN二極管及制備方法是由劉新科;張雅婷;黃燁瑩;蔣忠偉;黎曉華設計研發完成，并于2024-02-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本立體氮化鎵基PN二極管及制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種立體氮化鎵基PN二極管及其制備方法，其中，一種立體氮化鎵基PN二極管，包括：外表面間隔設置有若干器件區域的立體襯底、對應設置于各器件區域上的若干器件、覆蓋器件表面和立體襯底的非器件區域的互聯介質層；各器件包括設置于立體襯底表面的第一介質層、設置于第一介質層背離立體襯底一側的n??GaN層、設置于n??GaN層上背離立體襯底一側的陰極和p?GaN層、設置于p?GaN層上背離立體襯底一側的陽極；互聯介質層固定有若干互聯金屬，器件之間對應的陽極通過互聯金屬連接，器件之間對應的陰極也通過互聯金屬連接。本發明中的二極管，立體襯底散熱性佳，二極管的集成度高，具備更優異的電性能，應用場景更加廣泛，提高了器件的性能和壽命。

本發明授權立體氮化鎵基PN二極管及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種立體氮化鎵基PN二極管，其特征在于，包括：外表面間隔設置有若干器件區域的立體襯底、對應設置于各所述器件區域上的若干器件、覆蓋所述器件表面和所述立體襯底的非器件區域的互聯介質層； 各所述器件包括設置于所述立體襯底表面的第一介質層、設置于所述第一介質層背離所述立體襯底一側的n--GaN層、設置于所述n--GaN層上背離所述立體襯底一側的陰極和p-GaN層、設置于所述p-GaN層上背離所述立體襯底一側的陽極； 所述互聯介質層固定有若干互聯金屬，所述器件之間對應的所述陽極通過所述互聯金屬連接，所述器件之間對應的所述陰極也通過所述互聯金屬連接； 其中，所述互聯介質層至少有多層，各層所述互聯介質層上對應的所述互聯金屬連接所述器件之間的所述陽極，或，連接所述器件之間的所述陰極；全部器件之間的陰極通過單層互聯介質層上的互聯金屬連接，全部器件之間的陽極也通過單層互聯介質層上的互聯金屬連接。

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