安徽格恩半導(dǎo)體有限公司鄧和清獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請的專利一種具有應(yīng)變調(diào)制量子阱的半導(dǎo)體發(fā)光元件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN119092605B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202410983602.7,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10H20/812;該發(fā)明授權(quán)一種具有應(yīng)變調(diào)制量子阱的半導(dǎo)體發(fā)光元件是由鄧和清;鄭錦堅;張會康;黃軍;曹軍;藍(lán)家彬;胡志勇;陳婉君;張江勇;李水清設(shè)計研發(fā)完成,并于2024-07-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種具有應(yīng)變調(diào)制量子阱的半導(dǎo)體發(fā)光元件在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種具有應(yīng)變調(diào)制量子阱的半導(dǎo)體發(fā)光元件,從下至上依次包括襯底、n型半導(dǎo)體、有源層和p型半導(dǎo)體,所述有源層為應(yīng)變調(diào)制量子阱;所述應(yīng)變調(diào)制量子阱為阱層和壘層組成的周期結(jié)構(gòu),包括第一應(yīng)變調(diào)制量子阱、第二應(yīng)變調(diào)制量子阱和第三應(yīng)變調(diào)制量子阱;所述第一應(yīng)變調(diào)制量子阱的體積彈性模量的谷值位置往p型半導(dǎo)體方向的上升角度為β,所述第二應(yīng)變調(diào)制量子阱的體積彈性模量的谷值位置往p型半導(dǎo)體方向的上升角度為γ。本發(fā)明抑制晶體場分裂能帶,增強價帶頂?shù)闹乜昭◣Ш洼p空穴帶比例,提升量子阱發(fā)光的TE模比例,抑制TM模比例,提升發(fā)光元件的光提取效率,改善熱態(tài)下的光衰問題。
本發(fā)明授權(quán)一種具有應(yīng)變調(diào)制量子阱的半導(dǎo)體發(fā)光元件在權(quán)利要求書中公布了:1.一種具有應(yīng)變調(diào)制量子阱的半導(dǎo)體發(fā)光元件,從下至上依次包括襯底(100)、n型半導(dǎo)體(101)、有源層(102)和p型半導(dǎo)體(103),其特征在于,所述有源層(102)為應(yīng)變調(diào)制量子阱;所述應(yīng)變調(diào)制量子阱為阱層和壘層組成的周期結(jié)構(gòu),包括第一應(yīng)變調(diào)制量子阱、第二應(yīng)變調(diào)制量子阱和第三應(yīng)變調(diào)制量子阱; 所述第一應(yīng)變調(diào)制量子阱的體積彈性模量的谷值位置往p型半導(dǎo)體方向的上升角度為β,所述第二應(yīng)變調(diào)制量子阱的體積彈性模量的谷值位置往p型半導(dǎo)體方向的上升角度為γ,所述第三應(yīng)變調(diào)制量子阱的體積彈性模量的谷值位置往p型半導(dǎo)體方向的上升角度為θ,其中:30°≤β≤γ≤θ≤90°; 所述第一應(yīng)變調(diào)制量子阱的分離能的谷值位置往p型半導(dǎo)體方向的上升角度為ψ,所述第二應(yīng)變調(diào)制量子阱的分離能的谷值位置往p型半導(dǎo)體方向的上升角度為δ,所述第三應(yīng)變調(diào)制量子阱的分離參的谷值位置往p型半導(dǎo)體方向的上升角度為ε,其中:10°≤ψ≤δ≤ε≤90°; 所述第一應(yīng)變調(diào)制量子阱的形變勢的谷值位置往p型半導(dǎo)體方向的上升角度為η,所述第二應(yīng)變調(diào)制量子阱的形變勢的谷值位置往p型半導(dǎo)體方向的上升角度為μ,所述第三應(yīng)變調(diào)制量子阱的形變勢的谷值位置往p型半導(dǎo)體方向的上升角度為ν,其中:10°≤η≤μ≤ν≤90°。
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