中微半導體設備(上海)股份有限公司陶珩獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中微半導體設備(上海)股份有限公司申請的專利一種加熱結構及半導體處理設備獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223321237U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202422039917.4，技術領域涉及：H01L21/67；該實用新型一種加熱結構及半導體處理設備是由陶珩;何偉業;陳冬;吳紅星;許燦;姜勇;李雪子;劉雯伊設計研發完成，并于2024-08-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種加熱結構及半導體處理設備在說明書摘要公布了：本實用新型公開了一種加熱結構及半導體處理設備，加熱結構應用于半導體處理設備中，半導體處理設備包括反應腔和基座組件，基座組件位于反應腔內，用于承載基片，加熱結構包括：第一加熱組件，其設置在反應腔內，且環繞基座組件設置；第二加熱組件，其設置在反應腔內；第二加熱組件為分散光源，且環繞基座組件設置；調節第二加熱組件的豎直位置或者角度，以使第二加熱組件的輻射區域在基片的邊緣到中心之間變化。本實用新型提高了基片的加熱均勻性和加熱效率。
本實用新型一種加熱結構及半導體處理設備在權利要求書中公布了：1.一種加熱結構，其應用于半導體處理設備中，所述半導體處理設備包括反應腔和基座組件，所述基座組件位于所述反應腔內，用于承載基片，其特征在于，所述加熱結構包括： 第一加熱組件，其設置在所述反應腔內，且環繞所述基座組件設置； 第二加熱組件，其設置在所述反應腔內；所述第二加熱組件為分散光源，且環繞所述基座組件設置； 調節所述第二加熱組件的豎直位置或者角度，以使所述第二加熱組件的輻射區域在所述基片的邊緣到中心之間變化。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中微半導體設備(上海)股份有限公司，其通訊地址為：201201 上海市浦東新區金橋出口加工區(南區)泰華路188號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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