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龍圖騰網(wǎng)獲悉淮安捷泰新能源科技有限公司申請的專利一種雙層鈍化接觸結(jié)構(gòu)的TOPCon太陽能電池的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN118919604B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411161636.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F71/00；該發(fā)明授權(quán)一種雙層鈍化接觸結(jié)構(gòu)的TOPCon太陽能電池的制備方法是由李凱陽;彭國印;何楚勇;武龍飛設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-08-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種雙層鈍化接觸結(jié)構(gòu)的TOPCon太陽能電池的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種雙層鈍化接觸結(jié)構(gòu)的TOPCon太陽能電池的制備方法，屬于TOPCon電池領(lǐng)域，在處理后的硅基底的背面先沉積第一隧穿氧化層和阻擋多晶硅層；隨后在沉積后的阻擋多晶硅層上再次沉積第二隧穿氧化層和摻雜多晶硅層；再增加氧氣流量，在背面形成二氧化硅膜掩蔽膜；后再進行背面磷擴散。本發(fā)明的有益效果是：通過上述工藝的改進可以大幅提升磷擴散的推進溫度，提高晶化能力，并避免高溫磷擴帶來的內(nèi)擴加大，保持不變維持良好的隧穿效應(yīng)，維持了多晶硅層和隧穿層的接觸鈍化能力，最終使TOPCon電池的效率得到大幅度提升。

本發(fā)明授權(quán)一種雙層鈍化接觸結(jié)構(gòu)的TOPCon太陽能電池的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種雙層鈍化接觸結(jié)構(gòu)的TOPCon太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟一，將硅基底依次進行清洗制絨，正面硼擴散和刻蝕堿拋處理； 步驟二，在處理后的硅基底的背面先沉積厚度為1~1.5nm的第一隧穿氧化層和厚度為20~40nm的阻擋多晶硅層； 步驟三，在沉積后的阻擋多晶硅層上再次沉積厚度為0.3~0.5nm的第二隧穿氧化層和厚度為100~130nm的摻雜多晶硅層； 步驟四，增加氧氣流量，在背面形成二氧化硅膜掩蔽膜； 步驟五，采用POCl3進行背面磷擴散，先低溫沉積，后分段推進，再次采用POCl3進行補源擴散，最后進行后氧化退火工藝； 步驟六，依次進行清洗，鈍化處理、絲網(wǎng)印刷和高溫?zé)Y(jié)； 所述步驟五中，具體為采用POCl3進行背面磷擴散，流量為1500~1600sccm，先低溫沉積，沉積溫度為750~850℃，時間為900~1200s；后分段推進，先在溫度為860~930℃進行升溫推進，時間為10~20min，再在800~860℃進行降溫推進，時間10~20min；隨后采用POCl3進行再次補源擴散，流量為1500~1600sccm，沉積溫度為830~860℃，時間為120~180s，最后進行氧化退火工藝，時間為1200~1500s，降溫至720~750℃。

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