力特半導體(無錫)有限公司張鋒獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉力特半導體(無錫)有限公司申請的專利用于高電流SIDACtor的封裝結構獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223321264U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202422077362.2，技術領域涉及：H01L23/495；該實用新型用于高電流SIDACtor的封裝結構是由張鋒;理查德·J·波諾;石磊設計研發完成，并于2024-08-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于高電流SIDACtor的封裝結構在說明書摘要公布了：本實用新型公開了用于高電流SIDACtor的封裝結構。一種表面安裝裝置、結構及其關聯方法。該裝置包括：外殼；至少部分由外殼封裝的引線框架，引線框架包括具有芯片安裝墊的芯片安裝表面和設置在芯片安裝表面上的一個或多個凹部；以及至少部分地由外殼封裝的另一個引線框架，另一個引線框架耦合到具有一個或多個開口并耦合到半導體芯片的夾片。半導體芯片包括一個或多個凸起部，該凸起部從半導體芯片的頂面和底面中的至少一個延伸，并且能定位在以下至少一個中：一個或多個凹部和一個或多個開口。
本實用新型用于高電流SIDACtor的封裝結構在權利要求書中公布了：1.一種用于高電流SIDACtor的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構包括： 外殼； 至少部分地由所述外殼包封的引線框架，所述引線框架包括具有芯片安裝墊的芯片安裝表面和設置在所述芯片安裝表面上的一個或多個凹部；以及 至少部分地由所述外殼包封的另一個引線框架，所述另一個引線框架被耦合到具有一個或多個開口并且被耦合到半導體芯片的夾片； 其中，所述半導體芯片包括一個或多個凸起部，所述凸起部從所述半導體芯片的頂面和底面中的至少一個延伸并且能定位在以下至少一個中：所述一個或多個凹部和所述一個或多個開口。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人力特半導體(無錫)有限公司，其通訊地址為：214142 江蘇省無錫市新區碩放振發六路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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